Low-temperature peculiarities of density of electronic states and electron transport characteristics in the disordered 2D graphene

Low-temperature peculiarities of density of electronic states and electron transport characteristics in the disordered 2D graphene

التفاصيل البيبلوغرافية
Parent link:Fullerenes, Nanotubes and Carbon Nanostructures
Vol. 26, iss. 3.— 2018.— [P. 152-157]
مؤلف مشترك: Национальный исследовательский Томский политехнический университет Физико-технический институт Кафедра высшей математики и математической физики
مؤلفون آخرون: Bobenko N. G. Nadezhda Georgievna, Egorushkin V. E. Valery Efimovich, Melnikova N. V. Nataliya Vasiljevna, Belosludtseva A. A. Anna Alekseevna, Barkalov L. D. Leonid Dmitrievich, Ponomarev A. N. Aleksandr Nikolaevich
الملخص:Title screen
We propose an approach that allows us to take into account the location of atomic defects in the graphene structure and describe the effect of electron scattering on certain configurations of foreign atoms in a graphene matrix on density of electronic states (DOS) and the electron transport characteristics in 2D graphene. The local disorder is shown to play a decisive role in formation of the low-temperature behavior of the DOS and electron transport characteristics in the disordered 2D graphene.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
اللغة:الإنجليزية
منشور في: 2018
الموضوعات:
электронный ресурс
труды учёных ТПУ
graphene
density of statess
hort-range order
transport properties
structural defects
графены
плотность состояний
транспортные свойства
структурные дефекты
электронные состояния
الوصول للمادة أونلاين:https://doi.org/10.1080/1536383X.2017.1420647
التنسيق: الكتروني فصل الكتاب
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=664545

مواد مشابهة

مواد مشابهة