Low-temperature peculiarities of density of electronic states and electron transport characteristics in the disordered 2D graphene; Fullerenes, Nanotubes and Carbon Nanostructures; Vol. 26, iss. 3

Библиографические подробности
Источник:Fullerenes, Nanotubes and Carbon Nanostructures
Vol. 26, iss. 3.— 2018.— [P. 152-157]
Автор-организация: Национальный исследовательский Томский политехнический университет Физико-технический институт Кафедра высшей математики и математической физики
Другие авторы: Bobenko N. G. Nadezhda Georgievna, Egorushkin V. E. Valery Efimovich, Melnikova N. V. Nataliya Vasiljevna, Belosludtseva A. A. Anna Alekseevna, Barkalov L. D. Leonid Dmitrievich, Ponomarev A. N. Aleksandr Nikolaevich
Примечания:Title screen
We propose an approach that allows us to take into account the location of atomic defects in the graphene structure and describe the effect of electron scattering on certain configurations of foreign atoms in a graphene matrix on density of electronic states (DOS) and the electron transport characteristics in 2D graphene. The local disorder is shown to play a decisive role in formation of the low-temperature behavior of the DOS and electron transport characteristics in the disordered 2D graphene.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Язык:английский
Опубликовано: 2018
Предметы:
Online-ссылка:https://doi.org/10.1080/1536383X.2017.1420647
Формат: Электронный ресурс Статья
Запись в KOHA:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=664545