Low-temperature peculiarities of density of electronic states and electron transport characteristics in the disordered 2D graphene; Fullerenes, Nanotubes and Carbon Nanostructures; Vol. 26, iss. 3

מידע ביבליוגרפי
Parent link:Fullerenes, Nanotubes and Carbon Nanostructures
Vol. 26, iss. 3.— 2018.— [P. 152-157]
מחבר תאגידי: Национальный исследовательский Томский политехнический университет Физико-технический институт Кафедра высшей математики и математической физики
מחברים אחרים: Bobenko N. G. Nadezhda Georgievna, Egorushkin V. E. Valery Efimovich, Melnikova N. V. Nataliya Vasiljevna, Belosludtseva A. A. Anna Alekseevna, Barkalov L. D. Leonid Dmitrievich, Ponomarev A. N. Aleksandr Nikolaevich
סיכום:Title screen
We propose an approach that allows us to take into account the location of atomic defects in the graphene structure and describe the effect of electron scattering on certain configurations of foreign atoms in a graphene matrix on density of electronic states (DOS) and the electron transport characteristics in 2D graphene. The local disorder is shown to play a decisive role in formation of the low-temperature behavior of the DOS and electron transport characteristics in the disordered 2D graphene.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
שפה:אנגלית
יצא לאור: 2018
נושאים:
גישה מקוונת:https://doi.org/10.1080/1536383X.2017.1420647
פורמט: אלקטרוני Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=664545

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 664545
005 20250410131726.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\35729 
035 |a RU\TPU\network\31195 
090 |a 664545 
100 |a 20210420d2018 k||y0rusy50 ba 
101 0 |a eng 
102 |a GB 
135 |a drcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Low-temperature peculiarities of density of electronic states and electron transport characteristics in the disordered 2D graphene  |f N. G. Bobenko, V. E. Egorushkin, N. V. Melnikova [et al.] 
203 |a Text  |c electronic 
300 |a Title screen 
320 |a [References: 38 tit.] 
330 |a We propose an approach that allows us to take into account the location of atomic defects in the graphene structure and describe the effect of electron scattering on certain configurations of foreign atoms in a graphene matrix on density of electronic states (DOS) and the electron transport characteristics in 2D graphene. The local disorder is shown to play a decisive role in formation of the low-temperature behavior of the DOS and electron transport characteristics in the disordered 2D graphene. 
333 |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса 
461 |t Fullerenes, Nanotubes and Carbon Nanostructures 
463 |t Vol. 26, iss. 3  |v [P. 152-157]  |d 2018 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a graphene 
610 1 |a density of statess 
610 1 |a hort-range order 
610 1 |a transport properties 
610 1 |a structural defects 
610 1 |a графены 
610 1 |a плотность состояний 
610 1 |a транспортные свойства 
610 1 |a структурные дефекты 
610 1 |a электронные состояния 
701 1 |a Bobenko  |b N. G.  |c Physicist  |c Researcher of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences  |f 1986-  |g Nadezhda Georgievna  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\37783  |9 20521 
701 1 |a Egorushkin  |b V. E.  |g Valery Efimovich 
701 1 |a Melnikova  |b N. V.  |g Nataliya Vasiljevna 
701 1 |a Belosludtseva  |b A. A.  |g Anna Alekseevna 
701 1 |a Barkalov  |b L. D.  |g Leonid Dmitrievich 
701 1 |a Ponomarev  |b A. N.  |g Aleksandr Nikolaevich 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет  |b Физико-технический институт  |b Кафедра высшей математики и математической физики  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18727 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20210420  |g RCR 
856 4 |u https://doi.org/10.1080/1536383X.2017.1420647 
942 |c CF