Особенности высокоинтенсивной имплантации ионов низкой энергии

Bibliographic Details
Parent link:Известия вузов. Физика: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1957-
Т. 63, № 10 (754).— 2020.— [С. 157-165]
Corporate Authors: Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Научная лаборатория высокоинтенсивной имплантации ионов, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов
Other Authors: Рябчиков А. И. Александр Ильич, Иванова А. И. Анна Ивановна, Корнева О. С. Ольга Сергеевна, Сивин Д. О. Денис Олегович
Summary:Заглавие с экрана
Проведены численное моделирование и экспериментальные исследования для определения реальных температур поверхностных и приповерхностных слоев различных материалов в зависимости от режимов высокоинтенсивного ионного облучения. Интегральная температура мишени измерялась с помощью электрически изолированной термопары. Для измерения динамического изменения локальной температуры на облучаемой поверхности мишени использовался высокотемпературный импульсный пирометр KLEIBER 740-LO. Исследован вклад ударно-волнового механизма в массоперенос имплантируемой примеси при высокоинтенсивном ионном облучении и закономерности накопления имплантируемой примеси при горячей высокоинтенсивной имплантации ионов.
The present article is devoted to numerical modeling and experimental studies aimed at determining the real temperatures of the surface and near-surface layers of various materials depending on the regimes of high-intensity ion irradiation. The integral temperature of the target was measured using an electrically isolated thermocouple. To measure the dynamic change in local temperature on the irradiated surface of the target, a high-temperature pulsed pyrometer KLEIBER 740-LO was used. The contribution of the shock-wave mechanism to the mass transfer of the implantable dopant during high-intensity ion irradiation and the regularities of implantable dopant accumulation during hot high-intensity ion implantation were studied.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Published: 2020
Subjects:
Online Access:https://www.elibrary.ru/item.asp?id=44200146
Format: Electronic Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=662989