Национальный исследовательский Томский политехнический университет Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение экспериментальной физики, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Научно-образовательный центр Б. П. Вейнберга, Sun Zhilei, Pichugin V. F. Vladimir Fyodorovich, Evdokimov K. E. Kirill Evgenievich, . . . Tverdokhlebov S. I. Sergei Ivanovich. (2020). Effect of nitrogen-doping and post annealing on wettability and band gap energy of TiO2 thin film; Applied Surface Science; Vol. 500. 2020. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2019.144048
Chicago Style (17th ed.) CitationНациональный исследовательский Томский политехнический университет Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, et al. Effect of Nitrogen-doping and Post Annealing on Wettability and Band Gap Energy of TiO2 Thin Film; Applied Surface Science; Vol. 500. 2020, 2020. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2019.144048.
MLA (9th ed.) CitationНациональный исследовательский Томский политехнический университет Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов, et al. Effect of Nitrogen-doping and Post Annealing on Wettability and Band Gap Energy of TiO2 Thin Film; Applied Surface Science; Vol. 500. 2020, 2020. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2019.144048.