APA (7th ed.) Citation

Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Научная лаборатория высокоинтенсивной имплантации ионов, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа информационных технологий и робототехники Отделение информационных технологий, Sivin D. O. Denis Olegovich, Ryabchikov A. I. Aleksandr Ilyich, Ananin P. S. Petr Semenovich, Stepanov I. B. Igor Borisovich, . . . Koval T. V. Tamara Vasilievna. (2019). High-Intensity Implantation of Metal Ions in Conditions of Minimizing Ion Sputtering of the Material Surface. 2019.

Chicago Style (17th ed.) Citation

Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Научная лаборатория высокоинтенсивной имплантации ионов, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа информационных технологий и робототехники Отделение информационных технологий, Sivin D. O. Denis Olegovich, Ryabchikov A. I. Aleksandr Ilyich, Ananin P. S. Petr Semenovich, Stepanov I. B. Igor Borisovich, Modebadze G. S. Georgy Slavovich, and Koval T. V. Tamara Vasilievna. High-Intensity Implantation of Metal Ions in Conditions of Minimizing Ion Sputtering of the Material Surface. 2019, 2019.

MLA (9th ed.) Citation

Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Научная лаборатория высокоинтенсивной имплантации ионов, et al. High-Intensity Implantation of Metal Ions in Conditions of Minimizing Ion Sputtering of the Material Surface. 2019, 2019.