Исследование вакансионной системы реструктурированного цинка методом аннигиляции позитронов; Журнал технической физики; Т. 88, вып. 6

Bibliografske podrobnosti
Parent link:Журнал технической физики/ Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ)
Т. 88, вып. 6.— 2018.— [С. 860-863]
Corporate Authors: Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа новых производственных технологий Научно-производственная лаборатория "Импульсно-пучковых, электроразрядных и плазменных технологий", Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение экспериментальной физики
Drugi avtorji: Соловьев Е. М., Спицын Б. В. Борис Владимирович, Лаптев Р. С. Роман Сергеевич, Лидер А. М. Андрей Маркович, Бордулёв Ю. С. Юрий Сергеевич, Михайлов А. А. Андрей Анатольевич
Izvleček:Заглавие с экрана
Получен реструктурированный цинк (цинк высокой чистоты, подготовленный путем механо-термического воздействия различного уровня интенсивности), и проведено изучение его структуры методами позитронной спектроскопии. В реструктурированных образцах обнаружены и количественно исследованы объемные дефекты вакансионного типа (вакансии и вакансионные кластеры), а также области с расширенной кристаллической решеткой. Эти эффекты являются причиной возникновения внутренних микронапряжений в материале, которые обуславливают изменение свойств материала.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Jezik:ruščina
Izdano: 2018
Teme:
Online dostop:http://dx.doi.org/10.21883/JTF.2018.06.46017.2173
https://elibrary.ru/item.asp?id=34982853
Format: Elektronski Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=660248

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 660248
005 20251028071619.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\29319 
090 |a 660248 
100 |a 20190515d2018 k||y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
135 |a drcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Исследование вакансионной системы реструктурированного цинка методом аннигиляции позитронов  |d Analysis of the Vacancy System of Restructured Zinc by the Positron Annihilation Method  |f Е. М. Соловьев [и др.] 
203 |a Текст  |c электронный 
300 |a Заглавие с экрана 
320 |a [Библиогр.: 20 назв.] 
330 |a Получен реструктурированный цинк (цинк высокой чистоты, подготовленный путем механо-термического воздействия различного уровня интенсивности), и проведено изучение его структуры методами позитронной спектроскопии. В реструктурированных образцах обнаружены и количественно исследованы объемные дефекты вакансионного типа (вакансии и вакансионные кластеры), а также области с расширенной кристаллической решеткой. Эти эффекты являются причиной возникновения внутренних микронапряжений в материале, которые обуславливают изменение свойств материала. 
333 |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса 
461 |t Журнал технической физики  |f Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ) 
463 |t Т. 88, вып. 6  |v [С. 860-863]  |d 2018 
510 1 |a Analysis of the Vacancy System of Restructured Zinc by the Positron Annihilation Method  |z eng 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a реструктурирование 
610 1 |a цинк 
610 1 |a аннигиляция 
610 1 |a позитроны 
701 1 |a Соловьев  |b Е. М. 
701 1 |a Спицын  |b Б. В.  |g Борис Владимирович 
701 1 |a Лаптев  |b Р. С.  |c физик, специалист в области неразрушающего контроля  |c доцент Томского политехнического университета, доктор технических наук  |f 1987-  |g Роман Сергеевич  |y Томск  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\29924  |9 14396 
701 1 |a Лидер  |b А. М.  |c физик  |c профессор Томского политехнического университета, доктор технических наук  |f 1976-2025  |g Андрей Маркович  |y Томск  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25616  |9 11545 
701 1 |a Бордулёв  |b Ю. С.  |c физик  |c научный сотрудник Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук  |f 1990-  |g Юрий Сергеевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\29925  |9 14397 
701 1 |a Михайлов  |b А. А.  |c физик  |c инженер Томского политехнического университета  |f 1994-  |g Андрей Анатольевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\37468  |9 20355 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет  |b Инженерная школа новых производственных технологий  |b Научно-производственная лаборатория "Импульсно-пучковых, электроразрядных и плазменных технологий"  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\23502  |9 28318 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет  |b Инженерная школа ядерных технологий  |b Отделение экспериментальной физики  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\23549  |9 28346 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20190515  |g RCR 
856 4 |u http://dx.doi.org/10.21883/JTF.2018.06.46017.2173 
856 4 |u https://elibrary.ru/item.asp?id=34982853 
942 |c CF