Исследование вакансионной системы реструктурированного цинка методом аннигиляции позитронов

Bibliographic Details
Parent link:Журнал технической физики/ Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ)
Т. 88, вып. 6.— 2018.— [С. 860-863]
Corporate Authors: Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа новых производственных технологий Научно-производственная лаборатория "Импульсно-пучковых, электроразрядных и плазменных технологий", Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение экспериментальной физики
Other Authors: Соловьев Е. М., Спицын Б. В. Борис Владимирович, Лаптев Р. С. Роман Сергеевич, Лидер А. М. Андрей Маркович, Бордулёв Ю. С. Юрий Сергеевич, Михайлов А. А. Андрей Анатольевич
Summary:Заглавие с экрана
Получен реструктурированный цинк (цинк высокой чистоты, подготовленный путем механо-термического воздействия различного уровня интенсивности), и проведено изучение его структуры методами позитронной спектроскопии. В реструктурированных образцах обнаружены и количественно исследованы объемные дефекты вакансионного типа (вакансии и вакансионные кластеры), а также области с расширенной кристаллической решеткой. Эти эффекты являются причиной возникновения внутренних микронапряжений в материале, которые обуславливают изменение свойств материала.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Published: 2018
Subjects:
Online Access:http://dx.doi.org/10.21883/JTF.2018.06.46017.2173
https://elibrary.ru/item.asp?id=34982853
Format: Electronic Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=660248