Поглощение света лазерной керамикой на основе нанодисперсных порошков АИГ:Nd при импульсном электронном облучении; Известия вузов. Физика; Т. 61, № 8-2

Podrobná bibliografie
Parent link:Известия вузов. Физика.— , 1958-.— 0021-3411
Т. 61, № 8-2.— 2018.— [С. 118-122]
Korporativní autor: Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа новых производственных технологий Отделение материаловедения
Další autoři: Морозов П. А. Павел Александрович, Яковлев В. Ю. Виктор Юрьевич, Куликов В. Д. Виктор Дмитриевич, Шитов В. А. Владислав Александрович
Shrnutí:Заглавие с экрана
Исследован процесс образования наведенного оптического поглощения в моно- и поликристаллических образцах алюмоиттриевого граната, активированного неодимом (АИГ:Nd), при облучении наносекундным электронным пучком с энергией электронов ~ 250 кэВ, плотностью тока ~ 25 А/см2. Быстрые электроны создают в образцах бесструктурный спектр наведенного поглощения (НП). Спектры НП образцов близки по форме и амплитуде. Оптическая плотность слабо возрастает от границы измерения ~ 3.6 эВ до 1.7 эВ с дальнейшим резким снижением к ~ 1 эВ. Механизм формирования НП обусловлен переходами электронов из валентной зоны на локальный уровень О--дырочного центра. Можно предположить, что катионные вакансии в октаэдрическом и тетраэдрическом окружении кислорода формируют два типа дырочных О--центров. Кинетика релаксации НП контролируется туннельными переходами электронов с уровня О- -центра на уровни центров окраски. Отмечено повышенное содержание структурных дефектов в образце поликристаллической керамики по сравнению с монокристаллическим образцом.
The formation of induced optical absorption in mono- and polycrystalline samples of a neodymium-activated aluminum garnet (AIG: Nd) irradiated with a nanosecond electron beam with an electron energy of ~ 250 keV and a current density of ~ 25 A / cm2 has been studied. Fast electrons create in the samples an unstructured spectrum of induced absorption (IA). The spectra of the IA samples are close in shape and amplitude. The optical density slightly increases from the measurement limit ~ 3.6 eV to 1.7 eV with a further sharp decrease to ~ 1 eV. The mechanism of IA formation is due to transitions of electrons from the valence band to the local level of the O--hole center. It can be assumed that cationic vacancies in the octahedral and tetrahedral environment of oxygen form two types of hole O--centers. The relaxation kinetics of the IR are controlled by tunneling transitions of electrons from the O--center level to the levels of the color centers. An increased content of structural defects in a sample of polycrystalline ceramics is observed in comparison with a single-crystal sample.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Jazyk:ruština
Vydáno: 2018
Témata:
On-line přístup:https://elibrary.ru/item.asp?id=36517100
Médium: Elektronický zdroj Kapitola
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=659673

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 659673
005 20250827143417.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\28372 
090 |a 659673 
100 |a 20190318d2018 k||y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
135 |a arcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Поглощение света лазерной керамикой на основе нанодисперсных порошков АИГ:Nd при импульсном электронном облучении  |d Absorption of light by AIG: Nd nanopowder-based laser ceramics irradiated by pulsed electronic beam  |f П. А. Морозов [и др.] 
203 |a Текст  |c электронный 
300 |a Заглавие с экрана 
320 |a [Библиогр.: 15 назв.] 
330 |a Исследован процесс образования наведенного оптического поглощения в моно- и поликристаллических образцах алюмоиттриевого граната, активированного неодимом (АИГ:Nd), при облучении наносекундным электронным пучком с энергией электронов ~ 250 кэВ, плотностью тока ~ 25 А/см2. Быстрые электроны создают в образцах бесструктурный спектр наведенного поглощения (НП). Спектры НП образцов близки по форме и амплитуде. Оптическая плотность слабо возрастает от границы измерения ~ 3.6 эВ до 1.7 эВ с дальнейшим резким снижением к ~ 1 эВ. Механизм формирования НП обусловлен переходами электронов из валентной зоны на локальный уровень О--дырочного центра. Можно предположить, что катионные вакансии в октаэдрическом и тетраэдрическом окружении кислорода формируют два типа дырочных О--центров. Кинетика релаксации НП контролируется туннельными переходами электронов с уровня О- -центра на уровни центров окраски. Отмечено повышенное содержание структурных дефектов в образце поликристаллической керамики по сравнению с монокристаллическим образцом. 
330 |a The formation of induced optical absorption in mono- and polycrystalline samples of a neodymium-activated aluminum garnet (AIG: Nd) irradiated with a nanosecond electron beam with an electron energy of ~ 250 keV and a current density of ~ 25 A / cm2 has been studied. Fast electrons create in the samples an unstructured spectrum of induced absorption (IA). The spectra of the IA samples are close in shape and amplitude. The optical density slightly increases from the measurement limit ~ 3.6 eV to 1.7 eV with a further sharp decrease to ~ 1 eV. The mechanism of IA formation is due to transitions of electrons from the valence band to the local level of the O--hole center. It can be assumed that cationic vacancies in the octahedral and tetrahedral environment of oxygen form two types of hole O--centers. The relaxation kinetics of the IR are controlled by tunneling transitions of electrons from the O--center level to the levels of the color centers. An increased content of structural defects in a sample of polycrystalline ceramics is observed in comparison with a single-crystal sample. 
333 |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса 
461 0 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\191  |x 0021-3411  |t Известия вузов. Физика  |d 1958- 
463 |t Т. 61, № 8-2  |v [С. 118-122]  |d 2018 
510 1 |a Absorption of light by AIG: Nd nanopowder-based laser ceramics irradiated by pulsed electronic beam  |z eng 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a лазерные кристаллы 
610 1 |a алюмоиттриевые гранаты 
610 1 |a электронные пучки 
610 1 |a радиационные дефекты 
701 1 |a Морозов  |b П. А.  |g Павел Александрович 
701 1 |a Яковлев  |b В. Ю.  |c специалист в области светотехники  |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук  |f 1949-  |g Виктор Юрьевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\22024  |9 9321 
701 1 |a Куликов  |b В. Д.  |g Виктор Дмитриевич 
701 1 |a Шитов  |b В. А.  |g Владислав Александрович 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет  |b Инженерная школа новых производственных технологий  |b Отделение материаловедения  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\23508 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20190318  |g RCR 
856 4 0 |u https://elibrary.ru/item.asp?id=36517100 
942 |c CF