Поглощение света лазерной керамикой на основе нанодисперсных порошков АИГ:Nd при импульсном электронном облучении

Bibliographische Detailangaben
Parent link:Известия вузов. Физика.— , 1958-.— 0021-3411
Т. 61, № 8-2.— 2018.— [С. 118-122]
Körperschaft: Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа новых производственных технологий Отделение материаловедения
Weitere Verfasser: Морозов П. А. Павел Александрович, Яковлев В. Ю. Виктор Юрьевич, Куликов В. Д. Виктор Дмитриевич, Шитов В. А. Владислав Александрович
Zusammenfassung:Заглавие с экрана
Исследован процесс образования наведенного оптического поглощения в моно- и поликристаллических образцах алюмоиттриевого граната, активированного неодимом (АИГ:Nd), при облучении наносекундным электронным пучком с энергией электронов ~ 250 кэВ, плотностью тока ~ 25 А/см2. Быстрые электроны создают в образцах бесструктурный спектр наведенного поглощения (НП). Спектры НП образцов близки по форме и амплитуде. Оптическая плотность слабо возрастает от границы измерения ~ 3.6 эВ до 1.7 эВ с дальнейшим резким снижением к ~ 1 эВ. Механизм формирования НП обусловлен переходами электронов из валентной зоны на локальный уровень О--дырочного центра. Можно предположить, что катионные вакансии в октаэдрическом и тетраэдрическом окружении кислорода формируют два типа дырочных О--центров. Кинетика релаксации НП контролируется туннельными переходами электронов с уровня О- -центра на уровни центров окраски. Отмечено повышенное содержание структурных дефектов в образце поликристаллической керамики по сравнению с монокристаллическим образцом.
The formation of induced optical absorption in mono- and polycrystalline samples of a neodymium-activated aluminum garnet (AIG: Nd) irradiated with a nanosecond electron beam with an electron energy of ~ 250 keV and a current density of ~ 25 A / cm2 has been studied. Fast electrons create in the samples an unstructured spectrum of induced absorption (IA). The spectra of the IA samples are close in shape and amplitude. The optical density slightly increases from the measurement limit ~ 3.6 eV to 1.7 eV with a further sharp decrease to ~ 1 eV. The mechanism of IA formation is due to transitions of electrons from the valence band to the local level of the O--hole center. It can be assumed that cationic vacancies in the octahedral and tetrahedral environment of oxygen form two types of hole O--centers. The relaxation kinetics of the IR are controlled by tunneling transitions of electrons from the O--center level to the levels of the color centers. An increased content of structural defects in a sample of polycrystalline ceramics is observed in comparison with a single-crystal sample.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: 2018
Schlagworte:
Online-Zugang:https://elibrary.ru/item.asp?id=36517100
Format: Elektronisch Buchkapitel
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=659673