Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Лаборатория № 33 ядерного реактора, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение ядерно-топливного цикла, Varlachev V. A. Valery Aleksandrovich, Emets E. G. Evgeny Gennadievich, Lebedev I. I. Ivan Igorevich, & Zolotykh D. E. Daniil Evgenjevich. (2018). Nuclear Doping of Single-Crystal Silicon in the IRT-T Pool Type Research Nuclear Reactor; Actual Problems of Electronic Instrument Engineering (APEIE-2018); Vol. 1, pt. 1. 2018. https://doi.org/10.1109/APEIE.2018.8545252
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Лаборатория № 33 ядерного реактора, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение ядерно-топливного цикла, Varlachev V. A. Valery Aleksandrovich, Emets E. G. Evgeny Gennadievich, Lebedev I. I. Ivan Igorevich, та Zolotykh D. E. Daniil Evgenjevich. Nuclear Doping of Single-Crystal Silicon in the IRT-T Pool Type Research Nuclear Reactor; Actual Problems of Electronic Instrument Engineering (APEIE-2018); Vol. 1, Pt. 1. 2018, 2018. https://doi.org/10.1109/APEIE.2018.8545252.
Стиль цитування MLA (9-ме видання)Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Лаборатория № 33 ядерного реактора, et al. Nuclear Doping of Single-Crystal Silicon in the IRT-T Pool Type Research Nuclear Reactor; Actual Problems of Electronic Instrument Engineering (APEIE-2018); Vol. 1, Pt. 1. 2018, 2018. https://doi.org/10.1109/APEIE.2018.8545252.