Кинетика пространственного заряда в фоторефрактивном кристалле с мелкими ловушками во внешнем меандровом электрическом поле
| Parent link: | Электронные средства и системы управления: материалы докладов VI Международной научно-практической конференции, 13-16 октября 2010 г., Томск/ Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР).— , 2010 Ч . 2.— 2010.— [С. 114-119] |
|---|---|
| Autore principale: | |
| Altri autori: | , |
| Riassunto: | Заглавие с экрана Рассмотрено формирование поля пространственного заряда в фоторефрактивном кристалле с одним глубоким донорным уровнем и одним уровнем мелких ловушек, находящемся во внешнем электрическом поле под действием заданной решетки световой интенсивности с низким контрастом. Показано, что характер кинетики амплитуд зарядовых решеток сильно зависит от средней интенсивности светового поля. |
| Lingua: | russo |
| Pubblicazione: |
2010
|
| Serie: | Электроника, оптоэлектроника и фотоника |
| Soggetti: | |
| Accesso online: | https://elibrary.ru/item.asp?id=23035050 |
| Natura: | Elettronico Capitolo di libro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=658662 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 658662 | ||
| 005 | 20250825164230.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\network\26619 | ||
| 090 | |a 658662 | ||
| 100 | |a 20181029d2010 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drnn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Кинетика пространственного заряда в фоторефрактивном кристалле с мелкими ловушками во внешнем меандровом электрическом поле |f Е. Ю. Агеев, Р. В. Литвинов, Н. Д. Хатьков | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 225 | 1 | |a Электроника, оптоэлектроника и фотоника | |
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 119 (11 назв.)] | ||
| 330 | |a Рассмотрено формирование поля пространственного заряда в фоторефрактивном кристалле с одним глубоким донорным уровнем и одним уровнем мелких ловушек, находящемся во внешнем электрическом поле под действием заданной решетки световой интенсивности с низким контрастом. Показано, что характер кинетики амплитуд зарядовых решеток сильно зависит от средней интенсивности светового поля. | ||
| 461 | |t Электронные средства и системы управления |o материалы докладов VI Международной научно-практической конференции, 13-16 октября 2010 г., Томск |o в 2 ч. |f Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) |d 2010 | ||
| 463 | |t Ч . 2 |v [С. 114-119] |d 2010 | ||
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a фоторефрактивные кристаллы | |
| 610 | 1 | |a пространственный заряд | |
| 610 | 1 | |a электрическое поле | |
| 700 | 1 | |a Агеев |b Е. Ю. | |
| 701 | 1 | |a Литвинов |b Р. В. |c специалист в области автоматики и электроники |c доцент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук |f 1965- |g Рудольф Викторович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\38663 | |
| 701 | 1 | |a Хатьков |b Н. Д. | |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20181030 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u https://elibrary.ru/item.asp?id=23035050 | |
| 942 | |c CF | ||