Кинетика пространственного заряда в фоторефрактивном кристалле с мелкими ловушками во внешнем меандровом электрическом поле

Bibliographic Details
Parent link:Электронные средства и системы управления: материалы докладов VI Международной научно-практической конференции, 13-16 октября 2010 г., Томск/ Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР).— , 2010
Ч . 2.— 2010.— [С. 114-119]
Main Author: Агеев Е. Ю.
Other Authors: Литвинов Р. В. Рудольф Викторович, Хатьков Н. Д.
Summary:Заглавие с экрана
Рассмотрено формирование поля пространственного заряда в фоторефрактивном кристалле с одним глубоким донорным уровнем и одним уровнем мелких ловушек, находящемся во внешнем электрическом поле под действием заданной решетки световой интенсивности с низким контрастом. Показано, что характер кинетики амплитуд зарядовых решеток сильно зависит от средней интенсивности светового поля.
Language:Russian
Published: 2010
Series:Электроника, оптоэлектроника и фотоника
Subjects:
Online Access:https://elibrary.ru/item.asp?id=23035050
Format: Electronic Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=658662