Накопление радиационных дефектов в арсениде галлия при импульсном и непрерывном облучении ионами; Физика и техника полупроводников; Т. 39, вып. 3
| Parent link: | Физика и техника полупроводников.— , 1967- Т. 39, вып. 3.— 2005.— [С. 313-315] |
|---|---|
| 第一著者: | |
| その他の著者: | , |
| 要約: | Заглавие с экрана Показано, что при импульсной имплантации скорость накопления дефектов существенно меньше, чем при непрерывном облучении. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| 言語: | ロシア語 |
| 出版事項: |
2005
|
| 主題: | |
| オンライン･アクセス: | https://elibrary.ru/item.asp?id=20334072 |
| フォーマット: | 電子媒体 図書の章 |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=657133 |