Накопление радиационных дефектов в арсениде галлия при импульсном и непрерывном облучении ионами; Физика и техника полупроводников; Т. 39, вып. 3
| Parent link: | Физика и техника полупроводников.— , 1967- Т. 39, вып. 3.— 2005.— [С. 313-315] |
|---|---|
| Autore principale: | |
| Altri autori: | , |
| Riassunto: | Заглавие с экрана Показано, что при импульсной имплантации скорость накопления дефектов существенно меньше, чем при непрерывном облучении. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Lingua: | russo |
| Pubblicazione: |
2005
|
| Soggetti: | |
| Accesso online: | https://elibrary.ru/item.asp?id=20334072 |
| Natura: | Elettronico Capitolo di libro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=657133 |