Накопление радиационных дефектов в арсениде галлия при импульсном и непрерывном облучении ионами

Bibliographic Details
Parent link:	Физика и техника полупроводников.— , 1967- Т. 39, вып. 3.— 2005.— [С. 313-315]
Main Author:	Ардышев М. В.
Other Authors:	Ардышев В. М., Крючков Ю. Ю. Юрий Юрьевич
Summary:	Заглавие с экрана Показано, что при импульсной имплантации скорость накопления дефектов существенно меньше, чем при непрерывном облучении. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Language:	Russian
Published:	2005
Subjects:	электронный ресурс труды учёных ТПУ радиационные дефекты облучение
Online Access:	https://elibrary.ru/item.asp?id=20334072
Format:	Electronic Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=657133

Internet