Cita APA (7th ed.)

Ардышев М. В., Ардышев В. М., & Крючков Ю. Ю. Юрий Юрьевич. (2005). Накопление радиационных дефектов в арсениде галлия при импульсном и непрерывном облучении ионами; Физика и техника полупроводников; Т. 39, вып. 3. 2005.

Cita Chicago (17th ed.)

Ардышев М. В., Ардышев В. М., i Крючков Ю. Ю. Юрий Юрьевич. Накопление радиационных дефектов в арсениде галлия при импульсном и непрерывном облучении ионами; Физика и техника полупроводников; Т. 39, вып. 3. 2005, 2005.

Cita MLA (9th ed.)

Ардышев М. В., et al. Накопление радиационных дефектов в арсениде галлия при импульсном и непрерывном облучении ионами; Физика и техника полупроводников; Т. 39, вып. 3. 2005, 2005.