Влияние предварительного легирования и режимов имплантации на диффузию кремния в GaAs при радиационном отжиге
| Parent link: | Физика и техника полупроводников.— , 1967- Т. 38, вып. 3.— 2004.— [С. 265-269] |
|---|---|
| Autor principal: | |
| Otros Autores: | , |
| Sumario: | Заглавие с экрана Методами вольт-фарадных характеристик и резерфордовского обратного рассеяния исследованы диффузионные параметры кремния 28Si при диффузии из предварительно созданных n-слоев в полуизолирующий GaAs при "электронном" и термическом отжигах. Слои были легированы серой или кремнием. Отмечается, что степень активации 28Si и коэффициент диффузии зависят от лигатуры, используемой при формировании n-слоя, и от режима имплантации (непрерывный или частотно-импульсный с длительностью импульса 1.3· 10-2 с и скважностью 100). Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Lenguaje: | ruso |
| Publicado: |
2004
|
| Materias: | |
| Acceso en línea: | https://elibrary.ru/item.asp?id=20333795 |
| Formato: | Electrónico Capítulo de libro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=657128 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 657128 | ||
| 005 | 20250407142429.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\network\23617 | ||
| 035 | |a RU\TPU\network\13390 | ||
| 090 | |a 657128 | ||
| 100 | |a 20180111d2004 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Влияние предварительного легирования и режимов имплантации на диффузию кремния в GaAs при радиационном отжиге |d Effects of Predoping and Implantation Conditions on Diffusion of Silicon in Gallium Arsenide Subjected to Electron-Beam Annealing |f М. В. Ардышев, В. М. Ардышев, Ю. Ю. Крючков | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: 11 назв.] | ||
| 330 | |a Методами вольт-фарадных характеристик и резерфордовского обратного рассеяния исследованы диффузионные параметры кремния 28Si при диффузии из предварительно созданных n-слоев в полуизолирующий GaAs при "электронном" и термическом отжигах. Слои были легированы серой или кремнием. Отмечается, что степень активации 28Si и коэффициент диффузии зависят от лигатуры, используемой при формировании n-слоя, и от режима имплантации (непрерывный или частотно-импульсный с длительностью импульса 1.3· 10-2 с и скважностью 100). | ||
| 333 | |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса | ||
| 461 | |t Физика и техника полупроводников |d 1967- | ||
| 463 | |t Т. 38, вып. 3 |v [С. 265-269] |d 2004 | ||
| 510 | 1 | |a Effects of Predoping and Implantation Conditions on Diffusion of Silicon in Gallium Arsenide Subjected to Electron-Beam Annealing |z eng | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a легирование | |
| 610 | 1 | |a кремний | |
| 700 | 1 | |a Ардышев |b М. В. | |
| 701 | 1 | |a Ардышев |b В. М. | |
| 701 | 1 | |a Крючков |b Ю. Ю. |c физик |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук |f 1945- |g Юрий Юрьевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25821 |9 11694 | |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20180111 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u https://elibrary.ru/item.asp?id=20333795 | |
| 942 | |c CF | ||