Влияние предварительного легирования и режимов имплантации на диффузию кремния в GaAs при радиационном отжиге
| Parent link: | Физика и техника полупроводников.— , 1967- Т. 38, вып. 3.— 2004.— [С. 265-269] |
|---|---|
| Main Author: | |
| Other Authors: | , |
| Summary: | Заглавие с экрана Методами вольт-фарадных характеристик и резерфордовского обратного рассеяния исследованы диффузионные параметры кремния 28Si при диффузии из предварительно созданных n-слоев в полуизолирующий GaAs при "электронном" и термическом отжигах. Слои были легированы серой или кремнием. Отмечается, что степень активации 28Si и коэффициент диффузии зависят от лигатуры, используемой при формировании n-слоя, и от режима имплантации (непрерывный или частотно-импульсный с длительностью импульса 1.3· 10-2 с и скважностью 100). Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Language: | Russian |
| Published: |
2004
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://elibrary.ru/item.asp?id=20333795 |
| Format: | Electronic Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=657128 |