Ардышев М. В., Ардышев В. М., & Крючков Ю. Ю. Юрий Юрьевич. (2004). Влияние предварительного легирования и режимов имплантации на диффузию кремния в GaAs при радиационном отжиге. 2004.
Cita Chicago (17th ed.)Ардышев М. В., Ардышев В. М., i Крючков Ю. Ю. Юрий Юрьевич. Влияние предварительного легирования и режимов имплантации на диффузию кремния в GaAs при радиационном отжиге. 2004, 2004.
Cita MLA (9th ed.)Ардышев М. В., et al. Влияние предварительного легирования и режимов имплантации на диффузию кремния в GaAs при радиационном отжиге. 2004, 2004.
Atenció: Aquestes cites poden no estar 100% correctes.