Ардышев М. В., Ардышев В. М., & Крючков Ю. Ю. Юрий Юрьевич. (2004). Влияние предварительного легирования и режимов имплантации на диффузию кремния в GaAs при радиационном отжиге; Физика и техника полупроводников; Т. 38, вып. 3. 2004.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Ардышев М. В., Ардышев В. М., und Крючков Ю. Ю. Юрий Юрьевич. Влияние предварительного легирования и режимов имплантации на диффузию кремния в GaAs при радиационном отжиге; Физика и техника полупроводников; Т. 38, вып. 3. 2004, 2004.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Ардышев М. В., et al. Влияние предварительного легирования и режимов имплантации на диффузию кремния в GaAs при радиационном отжиге; Физика и техника полупроводников; Т. 38, вып. 3. 2004, 2004.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.