Ток в сильноточном планарном диоде с дискретной эмиссионной поверхностью; Журнал технической физики; Т. 69, вып. 6
| Parent link: | Журнал технической физики/ Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ).— , 1931- Т. 69, вып. 6.— 1999.— [С. 97-101] |
|---|---|
| Otros Autores: | , , |
| Sumario: | Заглавие с экрана Для сильноточного планарного диода с дискретной эмиссионной поверхностью получена зависимость величины тока от размера эмиттеров. Показано, что если расстояние между эмиттерами значительно превышает их размер, зависимость тока от отношения размера эмиттера к величине диодного зазора является степенной с показателем 3/2. При этом зависимость тока от напряжения подчиняется закону "трех вторых" до более высоких напряжений, чем в случае плоского диода с однородной эмиссионной поверхностью. |
| Lenguaje: | ruso |
| Publicado: |
1999
|
| Materias: | |
| Acceso en línea: | http://journals.ioffe.ru/articles/36087 |
| Formato: | Electrónico Capítulo de libro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=654270 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 654270 | ||
| 005 | 20250311152701.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\network\19852 | ||
| 090 | |a 654270 | ||
| 100 | |a 20170421d1999 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drnn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Ток в сильноточном планарном диоде с дискретной эмиссионной поверхностью |f С. Я. Беломытцев, С. Д. Коровин, И. В. Пегель | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 101 (9 назв.)] | ||
| 330 | |a Для сильноточного планарного диода с дискретной эмиссионной поверхностью получена зависимость величины тока от размера эмиттеров. Показано, что если расстояние между эмиттерами значительно превышает их размер, зависимость тока от отношения размера эмиттера к величине диодного зазора является степенной с показателем 3/2. При этом зависимость тока от напряжения подчиняется закону "трех вторых" до более высоких напряжений, чем в случае плоского диода с однородной эмиссионной поверхностью. | ||
| 461 | |t Журнал технической физики |f Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ) |d 1931- | ||
| 463 | |t Т. 69, вып. 6 |v [С. 97-101] |d 1999 | ||
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a планарные диоды | |
| 701 | 1 | |a Беломытцев |b С. Я. |g Святослав Яковлевич | |
| 701 | 1 | |a Коровин |b С. Д. |g Сергей Дмитриевич | |
| 701 | 1 | |a Пегель |b И. В. |c специалист в области автоматики и электроники |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук |f 1964- |g Игорь Валериевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\29394 | |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20170421 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u http://journals.ioffe.ru/articles/36087 | |
| 942 | |c CF | ||