Ток в сильноточном планарном диоде с дискретной эмиссионной поверхностью
| Parent link: | Журнал технической физики/ Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ).— , 1931- Т. 69, вып. 6.— 1999.— [С. 97-101] |
|---|---|
| Other Authors: | , , |
| Summary: | Заглавие с экрана Для сильноточного планарного диода с дискретной эмиссионной поверхностью получена зависимость величины тока от размера эмиттеров. Показано, что если расстояние между эмиттерами значительно превышает их размер, зависимость тока от отношения размера эмиттера к величине диодного зазора является степенной с показателем 3/2. При этом зависимость тока от напряжения подчиняется закону "трех вторых" до более высоких напряжений, чем в случае плоского диода с однородной эмиссионной поверхностью. |
| Published: |
1999
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://journals.ioffe.ru/articles/36087 |
| Format: | Electronic Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=654270 |