Потенциал использования тонкопленочного гетероперехода SnS/ZnO, полученного методом магнетронного распыления; Фундаментальные исследования; № 6, ч. 2
| Parent link: | Фундаментальные исследования.— , 2003- № 6, ч. 2.— 2016.— [С. 257-260] |
|---|---|
| المؤلف الرئيسي: | |
| مؤلف مشترك: | |
| الملخص: | Заглавие с экрана В работе приведены результаты исследования процессов получения тонкопленочного гетероперехода SnS/ZnO методом магнетронного распыления. Использовались наноструктурные мишени, приготовленные из нанопорошка сульфида олова, синтезированного методом СВС из стехиометрических смесей элементарной серы и нанодисперсного порошка олова, полученного электроискровым диспергированием оловянных гранул в среде гексана. Слой n-ZnO получали магнетронным распылением лабораторной мишени. Размер и морфология исходных частиц для приготовления материала наноструктурной мишени исследовались с помощью метода сканирующей электронной микроскопии. Их фазовый состав и размер областей когерентного рассеяния исследовался методами рентгенофазового и рентгеноструктурного анализа. Установлено, что полученный SnS–ZnO гетеропереход характеризуется хорошей адгезией слоев друг к другу, а также представляющими интерес для промышленного опробования значениями генерируемого при облучении солнечным светом фототока. Thin film SnS/ZnO heterojunction was prepared by magnetron sputtering. Nanostructured targets prepared from tin sulfide nanopowder were used. Tin sulfide nanopowder was obtained via self-propagating high-temperature synthesis from stoichiometric mixtures of sulfur and tin nanopowder prepared by electrospark erosion of tin granules in a hexane medium. The n-ZnO layer was produced by magnetron sputtering of a laboratory target. Size and morphology of the initial particles for the preparation of the nanostructured target were studied using scanning electron microscopy. Their phase composition and the size of coherent scattering regions were studied by X-ray diffraction phase and structural analysis. It was found that the prepared SnS–ZnO heterojunction is characterized by good adhesion of the layers to each other as well as acceptable values of the photocurrent generated during irradiation with sunlight. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| اللغة: | الروسية |
| منشور في: |
2016
|
| سلاسل: | Технические науки |
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://elibrary.ru/item.asp?id=26251648 https://www.fundamental-research.ru/ru/article/view?id=40406 |
| التنسيق: | الكتروني فصل الكتاب |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=653981 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 653981 | ||
| 005 | 20250228152720.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\network\19496 | ||
| 090 | |a 653981 | ||
| 100 | |a 20170405d2016 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Потенциал использования тонкопленочного гетероперехода SnS/ZnO, полученного методом магнетронного распыления |d Potential use of the thin film SnS/ZnO heterojunction prepared by magnetron sputtering |f В. В. Ан | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 225 | 1 | |a Технические науки | |
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 260 (9 назв.)] | ||
| 330 | |a В работе приведены результаты исследования процессов получения тонкопленочного гетероперехода SnS/ZnO методом магнетронного распыления. Использовались наноструктурные мишени, приготовленные из нанопорошка сульфида олова, синтезированного методом СВС из стехиометрических смесей элементарной серы и нанодисперсного порошка олова, полученного электроискровым диспергированием оловянных гранул в среде гексана. Слой n-ZnO получали магнетронным распылением лабораторной мишени. Размер и морфология исходных частиц для приготовления материала наноструктурной мишени исследовались с помощью метода сканирующей электронной микроскопии. Их фазовый состав и размер областей когерентного рассеяния исследовался методами рентгенофазового и рентгеноструктурного анализа. Установлено, что полученный SnS–ZnO гетеропереход характеризуется хорошей адгезией слоев друг к другу, а также представляющими интерес для промышленного опробования значениями генерируемого при облучении солнечным светом фототока. | ||
| 330 | |a Thin film SnS/ZnO heterojunction was prepared by magnetron sputtering. Nanostructured targets prepared from tin sulfide nanopowder were used. Tin sulfide nanopowder was obtained via self-propagating high-temperature synthesis from stoichiometric mixtures of sulfur and tin nanopowder prepared by electrospark erosion of tin granules in a hexane medium. The n-ZnO layer was produced by magnetron sputtering of a laboratory target. Size and morphology of the initial particles for the preparation of the nanostructured target were studied using scanning electron microscopy. Their phase composition and the size of coherent scattering regions were studied by X-ray diffraction phase and structural analysis. It was found that the prepared SnS–ZnO heterojunction is characterized by good adhesion of the layers to each other as well as acceptable values of the photocurrent generated during irradiation with sunlight. | ||
| 333 | |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса | ||
| 461 | |t Фундаментальные исследования |d 2003- | ||
| 463 | |t № 6, ч. 2 |v [С. 257-260] |d 2016 | ||
| 510 | 1 | |a Potential use of the thin film SnS/ZnO heterojunction prepared by magnetron sputtering |z eng | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a оксид цинка | |
| 610 | 1 | |a сульфид олова | |
| 610 | 1 | |a самораспространяющийся высокомолекулярный синтез | |
| 610 | 1 | |a гетеропереходы | |
| 610 | 1 | |a магнетронное распыление | |
| 700 | 1 | |a Ан |b В. В. |c химик |c профессор Томского политехнического университета, доктор химических наук |f 1972- |g Владимир Вилорьевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25572 |9 11502 | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |b Институт физики высоких технологий (ИФВТ) |b Кафедра общей химии и химической технологии (ОХХТ) |3 (RuTPU)RU\TPU\col\21253 |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20170405 |g RCR | |
| 856 | 4 | 0 | |u http://elibrary.ru/item.asp?id=26251648 |
| 856 | 4 | 0 | |u https://www.fundamental-research.ru/ru/article/view?id=40406 |
| 942 | |c CF | ||