Потенциал использования тонкопленочного гетероперехода SnS/ZnO, полученного методом магнетронного распыления
| Parent link: | Фундаментальные исследования.— , 2003- № 6, ч. 2.— 2016.— [С. 257-260] |
|---|---|
| Main Author: | |
| Corporate Author: | |
| Summary: | Заглавие с экрана В работе приведены результаты исследования процессов получения тонкопленочного гетероперехода SnS/ZnO методом магнетронного распыления. Использовались наноструктурные мишени, приготовленные из нанопорошка сульфида олова, синтезированного методом СВС из стехиометрических смесей элементарной серы и нанодисперсного порошка олова, полученного электроискровым диспергированием оловянных гранул в среде гексана. Слой n-ZnO получали магнетронным распылением лабораторной мишени. Размер и морфология исходных частиц для приготовления материала наноструктурной мишени исследовались с помощью метода сканирующей электронной микроскопии. Их фазовый состав и размер областей когерентного рассеяния исследовался методами рентгенофазового и рентгеноструктурного анализа. Установлено, что полученный SnS–ZnO гетеропереход характеризуется хорошей адгезией слоев друг к другу, а также представляющими интерес для промышленного опробования значениями генерируемого при облучении солнечным светом фототока. Thin film SnS/ZnO heterojunction was prepared by magnetron sputtering. Nanostructured targets prepared from tin sulfide nanopowder were used. Tin sulfide nanopowder was obtained via self-propagating high-temperature synthesis from stoichiometric mixtures of sulfur and tin nanopowder prepared by electrospark erosion of tin granules in a hexane medium. The n-ZnO layer was produced by magnetron sputtering of a laboratory target. Size and morphology of the initial particles for the preparation of the nanostructured target were studied using scanning electron microscopy. Their phase composition and the size of coherent scattering regions were studied by X-ray diffraction phase and structural analysis. It was found that the prepared SnS–ZnO heterojunction is characterized by good adhesion of the layers to each other as well as acceptable values of the photocurrent generated during irradiation with sunlight. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Published: |
2016
|
| Series: | Технические науки |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://elibrary.ru/item.asp?id=26251648 https://www.fundamental-research.ru/ru/article/view?id=40406 |
| Format: | Electronic Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=653981 |