Ан В. В. Владимир Вилорьевич. (2016). Потенциал использования тонкопленочного гетероперехода SnS/ZnO, полученного методом магнетронного распыления; Фундаментальные исследования; № 6, ч. 2. 2016.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Ан В. В. Владимир Вилорьевич. Потенциал использования тонкопленочного гетероперехода SnS/ZnO, полученного методом магнетронного распыления; Фундаментальные исследования; № 6, ч. 2. 2016, 2016.
Стиль цитування MLA (9-ме видання)Ан В. В. Владимир Вилорьевич. Потенциал использования тонкопленочного гетероперехода SnS/ZnO, полученного методом магнетронного распыления; Фундаментальные исследования; № 6, ч. 2. 2016, 2016.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.