Особенности электронно-лучевого спекания в форвакууме керамических материалов на основе карбида кремния с оксидными добавками; Фундаментальные исследования; № 10, ч. 2
| Parent link: | Фундаментальные исследования.— , 2003- № 10, ч. 2.— 2016.— [С. 270-279] |
|---|---|
| Korporativní autor: | |
| Další autoři: | , , , , , , |
| Shrnutí: | Заглавие с экрана На основе комплексного анализа экспериментальных результатов электронно-лучевого спекания (ЭЛС) керамического материала на основе SiC с добавками оксидов иттрия и алюминия показано, что потеря массы материала, возрастающая при повышении мощности электронного пучка, обусловлена локально рассредоточенным перегревом микрообластей керамики до температур в диапазоне от 2000 до 2730?°С. Перегрев сопровождается рядом последовательно протекающих процессов: химических и фазовых превращений, сублимации, плавления и испарения компонентов и соединений, однако процессы окисления основного материала (SiC) существенного влияния на потерю массы не оказывают. В объёме спекаемого материала между порами, образованными в ходе указанных процессов, наблюдается формирование плотной зёренной структуры с совершенными границами. Такие особенности локального тепловыделения указывают на необходимость достоверного контроля температуры при оптимизации режимов и условий ЭЛС керамики на основе SiC. Для достижения высокоплотного состояния керамики, консолидируемой методом ЭЛС, необходимо минимизировать свободную поверхность спекаемых образцов, что обеспечивается на стадии предварительного прессования. The experimental results of electron beam sintering of ceramic material based on silicon carbide with additions of yttria and alumina demonstrate a weight loss of as-sintered material which increases with power of electron beam. It caused by overheating of ceramic micro-areas at temperature range from 2000 to 2730?°C. The overheating is accompanied by the step-by-step processes: chemical and phase transformations, sublimation, melting and vaporization, however the oxidation process of SiC does not have significant effect on weight loss. The formation of dense grain structure with perfect boundaries between pores was shown in volume of sintering material during described processes. These peculiarities of the local heating point to necessity of the reliable temperature measurement during electron beam sintering of SiC-based ceramics. It is necessary to minimization free surface of sintering sample to achieve high density ceramic structure by electron beam sintering method. That is provide at pre-pressing stage. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Jazyk: | ruština |
| Vydáno: |
2016
|
| Edice: | Технические науки |
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://elibrary.ru/item.asp?id=27196286 https://www.fundamental-research.ru/ru/article/view?id=40844 |
| Médium: | Elektronický zdroj Kapitola |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=653208 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 653208 | ||
| 005 | 20251204135355.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\network\18604 | ||
| 090 | |a 653208 | ||
| 100 | |a 20170215d2016 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Особенности электронно-лучевого спекания в форвакууме керамических материалов на основе карбида кремния с оксидными добавками |d The peculiarities of electron beam forevacuum sintering of ceramic materials based on silicon carbide with oxide additions |f Э. С. Двилис [и др.] | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 225 | 1 | |a Технические науки | |
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 279 (7 назв.)] | ||
| 330 | |a На основе комплексного анализа экспериментальных результатов электронно-лучевого спекания (ЭЛС) керамического материала на основе SiC с добавками оксидов иттрия и алюминия показано, что потеря массы материала, возрастающая при повышении мощности электронного пучка, обусловлена локально рассредоточенным перегревом микрообластей керамики до температур в диапазоне от 2000 до 2730?°С. Перегрев сопровождается рядом последовательно протекающих процессов: химических и фазовых превращений, сублимации, плавления и испарения компонентов и соединений, однако процессы окисления основного материала (SiC) существенного влияния на потерю массы не оказывают. В объёме спекаемого материала между порами, образованными в ходе указанных процессов, наблюдается формирование плотной зёренной структуры с совершенными границами. Такие особенности локального тепловыделения указывают на необходимость достоверного контроля температуры при оптимизации режимов и условий ЭЛС керамики на основе SiC. Для достижения высокоплотного состояния керамики, консолидируемой методом ЭЛС, необходимо минимизировать свободную поверхность спекаемых образцов, что обеспечивается на стадии предварительного прессования. | ||
| 330 | |a The experimental results of electron beam sintering of ceramic material based on silicon carbide with additions of yttria and alumina demonstrate a weight loss of as-sintered material which increases with power of electron beam. It caused by overheating of ceramic micro-areas at temperature range from 2000 to 2730?°C. The overheating is accompanied by the step-by-step processes: chemical and phase transformations, sublimation, melting and vaporization, however the oxidation process of SiC does not have significant effect on weight loss. The formation of dense grain structure with perfect boundaries between pores was shown in volume of sintering material during described processes. These peculiarities of the local heating point to necessity of the reliable temperature measurement during electron beam sintering of SiC-based ceramics. It is necessary to minimization free surface of sintering sample to achieve high density ceramic structure by electron beam sintering method. That is provide at pre-pressing stage. | ||
| 333 | |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса | ||
| 461 | |t Фундаментальные исследования |d 2003- | ||
| 463 | |t № 10, ч. 2 |v [С. 270-279] |d 2016 | ||
| 510 | 1 | |a The peculiarities of electron beam forevacuum sintering of ceramic materials based on silicon carbide with oxide additions |z eng | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a карбид кремния | |
| 610 | 1 | |a электронно-лучевое спекание | |
| 610 | 1 | |a форвакуум | |
| 610 | 1 | |a плазменные источники | |
| 610 | 1 | |a электронные источники | |
| 701 | 1 | |a Двилис |b Э. С. |c химик-технолог |c старший научный сотрудник Томского политехнического университета, профессор, доктор физико-математических наук |f 1969- |g Эдгар Сергеевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\26838 |9 12457 | |
| 701 | 1 | |a Бурдовицин |b В. А. |g Виктор Алексеевич | |
| 701 | 1 | |a Хасанов |b А. О. |c химик-технолог |c инженер Томского политехнического университета |f 1987- |g Алексей Олегович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\29432 |9 13985 | |
| 701 | 1 | |a Окс |b Е. М. |c физик |c заведующий кафедрой физики Томского университета систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) |g Ефим Михайлович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\11855 | |
| 701 | 1 | |a Климов |b А. С. |g Александр Сергеевич | |
| 701 | 1 | |a Зенин |b А. А. |g Алексей Александрович | |
| 701 | 1 | |a Хасанов |b О. Л. |c физик, специалист в области наноматериалов |c профессор Томского политехнического университета, доктор технических наук |c директор Нано-Центра ТПУ, заведующий кафедрой наноматериалов и нанотехнологий |f 1958- |g Олег Леонидович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\26436 | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет |c (2009- ) |9 26305 |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20170215 |g RCR | |
| 856 | 4 | 0 | |u http://elibrary.ru/item.asp?id=27196286 |
| 856 | 4 | 0 | |u https://www.fundamental-research.ru/ru/article/view?id=40844 |
| 942 | |c CF | ||