Особенности электронно-лучевого спекания в форвакууме керамических материалов на основе карбида кремния с оксидными добавками

Bibliographic Details
Parent link:Фундаментальные исследования.— , 2003-
№ 10, ч. 2.— 2016.— [С. 270-279]
Corporate Author: Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Other Authors: Двилис Э. С. Эдгар Сергеевич, Бурдовицин В. А. Виктор Алексеевич, Хасанов А. О. Алексей Олегович, Окс Е. М. Ефим Михайлович, Климов А. С. Александр Сергеевич, Зенин А. А. Алексей Александрович, Хасанов О. Л. Олег Леонидович
Summary:Заглавие с экрана
На основе комплексного анализа экспериментальных результатов электронно-лучевого спекания (ЭЛС) керамического материала на основе SiC с добавками оксидов иттрия и алюминия показано, что потеря массы материала, возрастающая при повышении мощности электронного пучка, обусловлена локально рассредоточенным перегревом микрообластей керамики до температур в диапазоне от 2000 до 2730?°С. Перегрев сопровождается рядом последовательно протекающих процессов: химических и фазовых превращений, сублимации, плавления и испарения компонентов и соединений, однако процессы окисления основного материала (SiC) существенного влияния на потерю массы не оказывают. В объёме спекаемого материала между порами, образованными в ходе указанных процессов, наблюдается формирование плотной зёренной структуры с совершенными границами. Такие особенности локального тепловыделения указывают на необходимость достоверного контроля температуры при оптимизации режимов и условий ЭЛС керамики на основе SiC. Для достижения высокоплотного состояния керамики, консолидируемой методом ЭЛС, необходимо минимизировать свободную поверхность спекаемых образцов, что обеспечивается на стадии предварительного прессования.
The experimental results of electron beam sintering of ceramic material based on silicon carbide with additions of yttria and alumina demonstrate a weight loss of as-sintered material which increases with power of electron beam. It caused by overheating of ceramic micro-areas at temperature range from 2000 to 2730?°C. The overheating is accompanied by the step-by-step processes: chemical and phase transformations, sublimation, melting and vaporization, however the oxidation process of SiC does not have significant effect on weight loss. The formation of dense grain structure with perfect boundaries between pores was shown in volume of sintering material during described processes. These peculiarities of the local heating point to necessity of the reliable temperature measurement during electron beam sintering of SiC-based ceramics. It is necessary to minimization free surface of sintering sample to achieve high density ceramic structure by electron beam sintering method. That is provide at pre-pressing stage.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Published: 2016
Series:Технические науки
Subjects:
Online Access:http://elibrary.ru/item.asp?id=27196286
https://www.fundamental-research.ru/ru/article/view?id=40844
Format: Electronic Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=653208