Фотоиндуцированные процессы переноса заряда в кристаллах CsI(Tl)

Détails bibliographiques
Parent link:	Известия вузов. Физика: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1957- Т. 56, № 7, ч. 2.— 2013.— [С. 116-121]
Collectivités auteurs:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра техники и электрофизики высоких напряжений (ТЭВН), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
Autres auteurs:	Яковлев В. Ю. Виктор Юрьевич, Трефилова Л. Н. Лариса Николаевна, Карнаухова А. А. Анна Алексеевна, Косинов Н. Н. Николай Николаевич
Résumé:	Заглавие с экрана Представлены результаты исследования процессов с переносом заряда в CsI(Tl). С использованием техники время-разрешающей оптической спектроскопии изучены кинетические и температурные зависимости интенсивности и характеристического времени затухания люминесценции в кристаллах при импульсном облучении пучком ускоренных электронов и лазерным излучением. Также изучены спектральные и температурные зависимости величины тока фотостимулированной объемной проводимости при УФ-облучении. Полученные результаты позволяют прийти к заключению о том, что в кристаллах CsI(Tl), в которых наблюдается явление фотопроводимости, за проводящее состояние отвечает возбужденный 6 2P 3/2 уровень Т1 0-центра. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Langue:	russe
Publié:	2013
Sujets:	электронный ресурс труды учёных ТПУ фотопроводимость люминесценция центры окраски кинетика затухание
Accès en ligne:	http://elibrary.ru/item.asp?id=21115167
Format:	Électronique Chapitre de livre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=652719