Фотоиндуцированные процессы переноса заряда в кристаллах CsI(Tl); Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7, ч. 2
| Parent link: | Известия вузов. Физика: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1957- Т. 56, № 7, ч. 2.— 2013.— [С. 116-121] |
|---|---|
| Collectivités auteurs: | , |
| Autres auteurs: | , , , |
| Résumé: | Заглавие с экрана Представлены результаты исследования процессов с переносом заряда в CsI(Tl). С использованием техники время-разрешающей оптической спектроскопии изучены кинетические и температурные зависимости интенсивности и характеристического времени затухания люминесценции в кристаллах при импульсном облучении пучком ускоренных электронов и лазерным излучением. Также изучены спектральные и температурные зависимости величины тока фотостимулированной объемной проводимости при УФ-облучении. Полученные результаты позволяют прийти к заключению о том, что в кристаллах CsI(Tl), в которых наблюдается явление фотопроводимости, за проводящее состояние отвечает возбужденный 6 2P 3/2 уровень Т1 0-центра. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Langue: | russe |
| Publié: |
2013
|
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | http://elibrary.ru/item.asp?id=21115167 |
| Format: | Électronique Chapitre de livre |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=652719 |