Фотоиндуцированные процессы переноса заряда в кристаллах CsI(Tl); Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7, ч. 2

Bibliographische Detailangaben
Parent link:Известия вузов. Физика: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1957-
Т. 56, № 7, ч. 2.— 2013.— [С. 116-121]
Körperschaften: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра техники и электрофизики высоких напряжений (ТЭВН), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
Weitere Verfasser: Яковлев В. Ю. Виктор Юрьевич, Трефилова Л. Н. Лариса Николаевна, Карнаухова А. А. Анна Алексеевна, Косинов Н. Н. Николай Николаевич
Zusammenfassung:Заглавие с экрана
Представлены результаты исследования процессов с переносом заряда в CsI(Tl). С использованием техники время-разрешающей оптической спектроскопии изучены кинетические и температурные зависимости интенсивности и характеристического времени затухания люминесценции в кристаллах при импульсном облучении пучком ускоренных электронов и лазерным излучением. Также изучены спектральные и температурные зависимости величины тока фотостимулированной объемной проводимости при УФ-облучении. Полученные результаты позволяют прийти к заключению о том, что в кристаллах CsI(Tl), в которых наблюдается явление фотопроводимости, за проводящее состояние отвечает возбужденный 6 2P 3/2 уровень Т1 0-центра.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: 2013
Schlagworte:
Online-Zugang:http://elibrary.ru/item.asp?id=21115167
Format: Elektronisch Buchkapitel
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=652719

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 652719
005 20250204164335.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\18057 
090 |a 652719 
100 |a 20170124d2013 k||y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
135 |a drcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Фотоиндуцированные процессы переноса заряда в кристаллах CsI(Tl)  |f В. Ю. Яковлев [и др.] 
203 |a Текст  |c электронный 
300 |a Заглавие с экрана 
320 |a [Библиогр.: 24 назв.] 
330 |a Представлены результаты исследования процессов с переносом заряда в CsI(Tl). С использованием техники время-разрешающей оптической спектроскопии изучены кинетические и температурные зависимости интенсивности и характеристического времени затухания люминесценции в кристаллах при импульсном облучении пучком ускоренных электронов и лазерным излучением. Также изучены спектральные и температурные зависимости величины тока фотостимулированной объемной проводимости при УФ-облучении. Полученные результаты позволяют прийти к заключению о том, что в кристаллах CsI(Tl), в которых наблюдается явление фотопроводимости, за проводящее состояние отвечает возбужденный 6 2P 3/2 уровень Т1 0-центра. 
333 |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса 
461 |t Известия вузов. Физика  |o научный журнал  |f Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ)  |d 1957- 
463 |t Т. 56, № 7, ч. 2  |v [С. 116-121]  |d 2013 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a фотопроводимость 
610 1 |a люминесценция 
610 1 |a центры окраски 
610 1 |a кинетика 
610 1 |a затухание 
701 1 |a Яковлев  |b В. Ю.  |c специалист в области светотехники  |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук  |f 1949-  |g Виктор Юрьевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\22024  |9 9321 
701 1 |a Трефилова  |b Л. Н.  |g Лариса Николаевна 
701 1 |a Карнаухова  |b А. А.  |c специалист в области светотехники  |c ассистент, доцент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук   |f 1983-  |g Анна Алексеевна  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\37813  |9 20527 
701 1 |a Косинов  |b Н. Н.  |g Николай Николаевич 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Институт физики высоких технологий (ИФВТ)  |b Кафедра техники и электрофизики высоких напряжений (ТЭВН)  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18692 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Институт физики высоких технологий (ИФВТ)  |b Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18690 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20170206  |g RCR 
856 4 0 |u http://elibrary.ru/item.asp?id=21115167 
942 |c CF