[131] Experimental study of the short-circuit robustness of 600 V E-mode GaN transistors; Microelectronics Reliability; Vol. 64 : Proceedings of the 27th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis

[131] Experimental study of the short-circuit robustness of 600 V E-mode GaN transistors; Microelectronics Reliability; Vol. 64 : Proceedings of the 27th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis

Sonraí bibleagrafaíochta
Parent link:	Microelectronics Reliability Vol. 64 : Proceedings of the 27th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis.— 2016.— [P. 560–565]
Údar corparáideach:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электрических сетей и электротехники (ЭСиЭ)
Rannpháirtithe:	Landel M., Gautier C., Labrousse D. Denis, Lefevre S. Stefan
Achoimre:	Title screen This paper presents experimental robustness of 600 V GaN High Electron Mobility Transistors (HEMT) submitted to Short-Circuits (SC) operation modes. A dedicated secured test bench has been developed and designed in order to protect as quickly as possible the Device Under Test (DUT) after failure. Some devices featured a great robustness under SC and were able to support several SC of a very long duration. On the contrary, others failed immediately at the first pulse, for a low dissipated energy. The obtained results reveal a severe dispersal in terms of SC robustness for these new emerging components. Gate behavior has been also studied, showing a leakage current during each SC, destructive or not. A part of the paper is also dedicated to the study of the effects of case temperature and DC voltage on robustness. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Teanga:	Béarla
Foilsithe / Cruthaithe:	2016
Ábhair:	электронный ресурс труды учёных ТПУ короткое замыкание испытательные стенды надежность колебания транзисторы робастность
Rochtain ar líne:	http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2016.07.042
Formáid:	Leictreonach Caibidil leabhair
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=652464

Míreanna comhchosúla

The fast neutron irradiation influence on the AlGaAs IR-LEDs reliability; Microelectronics Reliability; Vol. 65
Foilsithe / Cruthaithe: (2016)

Hybrid CMOS Single-Electron-Transistor Device and Circuit Design
de réir: Mahapatra S. Santanu
Foilsithe / Cruthaithe: (London, Artech House, 2006)

High-voltage MIS-gated GaN transistors; Semiconductors; Vol. 51, iss. 9
Foilsithe / Cruthaithe: (2017)

Lateral Power Transistors in Integrated Circuits
de réir: Erlbacher, Tobias
Foilsithe / Cruthaithe: (2014)

Робастность многосвязных систем управления
de réir: Юсупбеков Н. Р. Надырбек Рустамбекович
Foilsithe / Cruthaithe: (Москва, Наука, 1990)

Проблемы устойчивости стохастических моделей: труды Х Всесоюзного семинара, Куйбышев 1986 г.
Foilsithe / Cruthaithe: (Куйбышев, Изд-во КГУ, 1987)

Исследование трехпозиционного релейного регулятора температуры в скользящем режиме работы; Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники; № 1 (25), ч. 2
de réir: Шилин А. А. Александр Анатольевич
Foilsithe / Cruthaithe: (2012)

Power switching transistors based on gallium nitride epitaxial heterostructures; Russian Microelectronics; Vol. 46, iss. 3
de réir: Erofeev E. V. Evgeny Viktorovich
Foilsithe / Cruthaithe: (2017)

Microelectronics
de réir: Alley C. L. Charles
Foilsithe / Cruthaithe: (New Jersey, Prentice Hall, 1986)

Microelectronics
de réir: Whitaker J. C. Jerry C.
Foilsithe / Cruthaithe: (New York, Taylor & Francis, 2006)

Microelectronics to Nanoelectronics: Materials, Devices & Manufacturability
Foilsithe / Cruthaithe: (New York, Taylor & Francis Group, 2013)

Робастность в статистике: подход на основе функций влияния; пер. с англ.
Foilsithe / Cruthaithe: (Москва, Мир, 1989)

Понижение порядка полиномиальных регуляторов динамических систем; Вестник науки Сибири; № 3 (9)
de réir: Тарарыкин С. В. Сергей Вячеславович
Foilsithe / Cruthaithe: (2013)

Оценка робастности алгоритмов управления нестационарными электромеханическими объектами; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 308, № 2
de réir: Букреев В. Г. Виктор Григорьевич
Foilsithe / Cruthaithe: (2005)

Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices
de réir: Narita, Tetsuo
Foilsithe / Cruthaithe: (2020)

Исследование робастных параметров для классификации данных ДЗЗ; Современные техника и технологии; Т. 2
de réir: Аникина П. В.
Foilsithe / Cruthaithe: (2012)

Прикладная стохастика: робастность, оценивание, прогноз
de réir: Шурыгин А. М. Александр Михайлович
Foilsithe / Cruthaithe: (Москва, Финансы и статистика, 2000)

Влияние апериодической составляющей тока короткого замыкания на действие автоматического повторного включения в электроэнергетических системах: Influence of the aeriodic component of a short circuit on the effect of automatic reconstruction in electric power systems; Научно-технические ведомости Севмашвтуза; № 1
de réir: Шефер О. В. Ольга Владимировна
Foilsithe / Cruthaithe: (2020)

Increase the threshold voltage of high voltage GaN transistors by low temperature atomic hydrogen treatment; Semiconductors; Vol. 51, iss. 2
Foilsithe / Cruthaithe: (2017)

Интегральный критерий параметрической робастности асинхронного электропривода с наблюдателем состояния; Научный вестник Новосибирского государственного технического университета; № 1 (66)
de réir: Афанасьев К. С. Кирилл Сергеевич
Foilsithe / Cruthaithe: (2017)

Short Circuit Electronic Monitoring and the Crisis of the Brazilian Prison System /
de réir: Campello, Ricardo Urquizas
Foilsithe / Cruthaithe: (2023)

Системы робастного модального управления с комбинированными регуляторами состояния; Электронные приборы, системы и технологии
de réir: Аполонский В. В.
Foilsithe / Cruthaithe: (2011)

Динамические системы и сигналы. Общие вопросы
de réir: Шаталов А. С. Александр Степанович
Foilsithe / Cruthaithe: (Москва, Энергоатомиздат, 1996)

Синтез встраиваемой одноконтурной системы автоматического управления с самонастраивающимся регулятором и оценка ее робастности; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 322, № 5 : Управление, вычислительная техника и информатика
Foilsithe / Cruthaithe: (2013)

Stress imaging in structural challenging MEMS with high sensitivity using micro-Raman spectroscopy; Microelectronics Reliability; Vol. 79
Foilsithe / Cruthaithe: (2017)

Робастность в статистике: пер. с англ.
de réir: Хьюбер П.
Foilsithe / Cruthaithe: (Москва, Мир, 1984)

Синтез регуляторов импульсных систем автоматического управления численным методом; Theory and practice in the physical, mathematical And technical sciences
de réir: Гончаров В. И. Валерий Иванович
Foilsithe / Cruthaithe: (2012)

Задание требований по робастности при синтезе систем автоматического управления вещественным интерполяционным методом; Современные техника и технологии
de réir: Лиепиньш А. В. Андрей Вилнисович
Foilsithe / Cruthaithe: (2000)

Как рассчитать ток короткого замыкания
de réir: Беляева Е. Н. Евгения Николаевна
Foilsithe / Cruthaithe: (Москва, Энергоатомиздат, 1983)

Расчет токов короткого замыкания в электросетях 0,4-35 кВ
de réir: Голубев М. Л. Михаил Львович
Foilsithe / Cruthaithe: (Москва, Энергия, 1980)

Переходные процессы в электроэнергетических системах: лабораторный практикум учебное пособие
de réir: Кирилина О. И.
Foilsithe / Cruthaithe: (Белгород, БГТУ им. В.Г. Шухова, 2021)

Робастные методы математической статистики
de réir: Шуленин В. П. Валерий Петрович
Foilsithe / Cruthaithe: (Томск, Изд-во НТЛ, 2016)

Робастные методы статистического анализа навигационной информации
Foilsithe / Cruthaithe: (Ленинград, Изд-во ЦНИИ "Румб", 1985)

Теория автоматического управления: учебник для студентов вузов
de réir: Ротач В. Я. Виталий Яковлевич
Foilsithe / Cruthaithe: (Москва, Изд-во МЭИ, 2007)

Защита вторичных цепей от коротких замыканий
de réir: Голубев М. Л. Михаил Львович
Foilsithe / Cruthaithe: (Москва, Энергоиздат, 1982)

Расчет токов короткого замыкания методом спрямленной внешней характеристики
de réir: Хрущов В. М.
Foilsithe / Cruthaithe: (Харьков, Гос. Научно-техническое изд-во Украины, 1937)

A Reliability-Aware Fusion Concept Toward Robust Ego-Lane Estimation Incorporating Multiple Sources
de réir: Nguyen, Tuan Tran
Foilsithe / Cruthaithe: (2020)

Reliability Study of Metal-Oxide Semiconductors in Integrated Circuits; Micromachines; Vol. 15, iss. 5
Foilsithe / Cruthaithe: (2024)

Разработка наблюдателя состояния для асинхронного электропривода с повышенной параметрической робастностью: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.09.03
de réir: Афанасьев К. С. Кирилл Сергеевич
Foilsithe / Cruthaithe: (Томск, 2015)

Защита шин 6- 10 кВ
de réir: Байтер И. И. Исаак Ионович
Foilsithe / Cruthaithe: (Москва, Энергоатомиздат, 1984)