APA (7th ed.) Citation

Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электрических сетей и электротехники (ЭСиЭ), Landel M, Gautier C, Labrousse D. Denis, & Lefevre S. Stefan. (2016). [131] Experimental study of the short-circuit robustness of 600 V E-mode GaN transistors. 2016. https://doi.org/10.1016/j.microrel.2016.07.042

Chicago Style (17th ed.) Citation

Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электрических сетей и электротехники (ЭСиЭ), Landel M, Gautier C, Labrousse D. Denis, and Lefevre S. Stefan. [131] Experimental Study of the Short-circuit Robustness of 600 V E-mode GaN Transistors. 2016, 2016. https://doi.org/10.1016/j.microrel.2016.07.042.

MLA (9th ed.) Citation

Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электрических сетей и электротехники (ЭСиЭ), et al. [131] Experimental Study of the Short-circuit Robustness of 600 V E-mode GaN Transistors. 2016, 2016. https://doi.org/10.1016/j.microrel.2016.07.042.