Генерация рентгеновского излучения при скользящем взаимодействии 18 МЭВ электронов с тонким Si кристаллом в камере бетатрона; Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 103, № 11-12
| Parent link: | Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики: научно-теоретический журнал/ Российская академия наук (РАН).— , 1965- Т. 103, № 11-12.— 2016.— [С. 816-821] |
|---|---|
| Autor corporatiu: | , |
| Altres autors: | , , , |
| Sumari: | Заглавие с экрана Представлены результаты исследования генерации рентгеновского излучения при скользящем взаимодействии 18 МэВ электронов с 81 кристаллом толщиной 50мкм и длиной 4 мм вдоль пучка электронов, установленном в гониометре внутри камеры бетатрона Б-18. Результаты демонстрируют сильные изменения угловых распределений тормозного излучения при изменении ориентации кристалла, что отсутствует в случае геометрии перпендикулярного падения электронов на поверхность тонкого кристалла, если нет эффектов каналирования электронов, которые реализуются при его определенных ориентациях. Получены изображения эталонной микроструктуры, которые продемонстрировали высокое разрешение ее деталей за счет малого размера источника излучения. Продемонстрировано изменение контраста изображения от положения микроструктуры в конусе излучения. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Idioma: | rus |
| Publicat: |
2016
|
| Col·lecció: | Разное |
| Matèries: | |
| Accés en línia: | http://elibrary.ru/item.asp?id=26427025 http://www.mathnet.ru/php/archive.phtml?wshow=paper&jrnid=jetpl&paperid=4960&option_lang=rus |
| Format: | Electrònic Capítol de llibre |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=651885 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 651885 | ||
| 005 | 20250326144315.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\network\17148 | ||
| 090 | |a 651885 | ||
| 100 | |a 20161124d2016 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Генерация рентгеновского излучения при скользящем взаимодействии 18 МЭВ электронов с тонким Si кристаллом в камере бетатрона |f М. М. Рычков [и др.] | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 225 | 1 | |a Разное | |
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: 11 назв.] | ||
| 330 | |a Представлены результаты исследования генерации рентгеновского излучения при скользящем взаимодействии 18 МэВ электронов с 81 кристаллом толщиной 50мкм и длиной 4 мм вдоль пучка электронов, установленном в гониометре внутри камеры бетатрона Б-18. Результаты демонстрируют сильные изменения угловых распределений тормозного излучения при изменении ориентации кристалла, что отсутствует в случае геометрии перпендикулярного падения электронов на поверхность тонкого кристалла, если нет эффектов каналирования электронов, которые реализуются при его определенных ориентациях. Получены изображения эталонной микроструктуры, которые продемонстрировали высокое разрешение ее деталей за счет малого размера источника излучения. Продемонстрировано изменение контраста изображения от положения микроструктуры в конусе излучения. | ||
| 333 | |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса | ||
| 461 | |t Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики |o научно-теоретический журнал |f Российская академия наук (РАН) |d 1965- | ||
| 463 | |t Т. 103, № 11-12 |v [С. 816-821] |d 2016 | ||
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a рентгеновские излучения | |
| 610 | 1 | |a бетатроны | |
| 701 | 1 | |a Рычков |b М. М. |c физик |c Заведующий лабораторией Томского политехнического университета, кандидат технических наук |f 1977- |g Максим Михайлович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\27733 |9 12807 | |
| 701 | 1 | |a Каплин |b В. В. |c физик |c ведущий научный сотрудник Томского политехнического университета |f 1947- |g Валерий Викторович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\28141 |9 13099 | |
| 701 | 1 | |a Сухарников |b К. В. |c специалист в области ускорительной техники |c инженер Томского политехнического университета |f 1989- |g Константин Владимирович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\31230 |9 15425 | |
| 701 | 1 | |a Васьковский |b И. К. |c специалист в области ускорительной техники |c ведущий инженер Томского политехнического университета |f 1941- |g Иван Кириллович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\32836 |9 16693 | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет |b Институт неразрушающего контроля |b Кафедра промышленной и медицинской электроники |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18719 |9 27169 |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет |b Институт неразрушающего контроля |b Лаборатория № 42 (Сильноточных бетатронов) |3 (RuTPU)RU\TPU\col\19919 |9 27640 |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20170529 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u http://elibrary.ru/item.asp?id=26427025 | |
| 856 | 4 | |u http://www.mathnet.ru/php/archive.phtml?wshow=paper&jrnid=jetpl&paperid=4960&option_lang=rus | |
| 942 | |c CF | ||