Генерация рентгеновского излучения при скользящем взаимодействии 18 МЭВ электронов с тонким Si кристаллом в камере бетатрона

Bibliographic Details
Parent link:Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики: научно-теоретический журнал/ Российская академия наук (РАН).— , 1965-
Т. 103, № 11-12.— 2016.— [С. 816-821]
Corporate Authors: Национальный исследовательский Томский политехнический университет Институт неразрушающего контроля Кафедра промышленной и медицинской электроники, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Институт неразрушающего контроля Лаборатория № 42 (Сильноточных бетатронов)
Other Authors: Рычков М. М. Максим Михайлович, Каплин В. В. Валерий Викторович, Сухарников К. В. Константин Владимирович, Васьковский И. К. Иван Кириллович
Summary:Заглавие с экрана
Представлены результаты исследования генерации рентгеновского излучения при скользящем взаимодействии 18 МэВ электронов с 81 кристаллом толщиной 50мкм и длиной 4 мм вдоль пучка электронов, установленном в гониометре внутри камеры бетатрона Б-18. Результаты демонстрируют сильные изменения угловых распределений тормозного излучения при изменении ориентации кристалла, что отсутствует в случае геометрии перпендикулярного падения электронов на поверхность тонкого кристалла, если нет эффектов каналирования электронов, которые реализуются при его определенных ориентациях. Получены изображения эталонной микроструктуры, которые продемонстрировали высокое разрешение ее деталей за счет малого размера источника излучения. Продемонстрировано изменение контраста изображения от положения микроструктуры в конусе излучения.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Published: 2016
Series:Разное
Subjects:
Online Access:http://elibrary.ru/item.asp?id=26427025
http://www.mathnet.ru/php/archive.phtml?wshow=paper&jrnid=jetpl&paperid=4960&option_lang=rus
Format: Electronic Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=651885