Генерация рентгеновского излучения при скользящем взаимодействии 18 МЭВ электронов с тонким Si кристаллом в камере бетатрона
| Parent link: | Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики: научно-теоретический журнал/ Российская академия наук (РАН).— , 1965- Т. 103, № 11-12.— 2016.— [С. 816-821] |
|---|---|
| সংস্থা লেখক: | , |
| অন্যান্য লেখক: | , , , |
| সংক্ষিপ্ত: | Заглавие с экрана Представлены результаты исследования генерации рентгеновского излучения при скользящем взаимодействии 18 МэВ электронов с 81 кристаллом толщиной 50мкм и длиной 4 мм вдоль пучка электронов, установленном в гониометре внутри камеры бетатрона Б-18. Результаты демонстрируют сильные изменения угловых распределений тормозного излучения при изменении ориентации кристалла, что отсутствует в случае геометрии перпендикулярного падения электронов на поверхность тонкого кристалла, если нет эффектов каналирования электронов, которые реализуются при его определенных ориентациях. Получены изображения эталонной микроструктуры, которые продемонстрировали высокое разрешение ее деталей за счет малого размера источника излучения. Продемонстрировано изменение контраста изображения от положения микроструктуры в конусе излучения. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| প্রকাশিত: |
2016
|
| মালা: | Разное |
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | http://elibrary.ru/item.asp?id=26427025 http://www.mathnet.ru/php/archive.phtml?wshow=paper&jrnid=jetpl&paperid=4960&option_lang=rus |
| বিন্যাস: | বৈদ্যুতিক গ্রন্থের অধ্যায় |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=651885 |
| সংক্ষিপ্ত: | Заглавие с экрана Представлены результаты исследования генерации рентгеновского излучения при скользящем взаимодействии 18 МэВ электронов с 81 кристаллом толщиной 50мкм и длиной 4 мм вдоль пучка электронов, установленном в гониометре внутри камеры бетатрона Б-18. Результаты демонстрируют сильные изменения угловых распределений тормозного излучения при изменении ориентации кристалла, что отсутствует в случае геометрии перпендикулярного падения электронов на поверхность тонкого кристалла, если нет эффектов каналирования электронов, которые реализуются при его определенных ориентациях. Получены изображения эталонной микроструктуры, которые продемонстрировали высокое разрешение ее деталей за счет малого размера источника излучения. Продемонстрировано изменение контраста изображения от положения микроструктуры в конусе излучения. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
|---|