Национальный исследовательский Томский политехнический университет Институт неразрушающего контроля Кафедра промышленной и медицинской электроники, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Институт неразрушающего контроля Лаборатория № 42 (Сильноточных бетатронов), Рычков М. М. Максим Михайлович, Каплин В. В. Валерий Викторович, Сухарников К. В. Константин Владимирович, & Васьковский И. К. Иван Кириллович. (2016). Генерация рентгеновского излучения при скользящем взаимодействии 18 МЭВ электронов с тонким Si кристаллом в камере бетатрона. 2016.
Citace podle Chicago (17th ed.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Институт неразрушающего контроля Кафедра промышленной и медицинской электроники, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Институт неразрушающего контроля Лаборатория № 42 (Сильноточных бетатронов), Рычков М. М. Максим Михайлович, Каплин В. В. Валерий Викторович, Сухарников К. В. Константин Владимирович, a Васьковский И. К. Иван Кириллович. Генерация рентгеновского излучения при скользящем взаимодействии 18 МЭВ электронов с тонким Si кристаллом в камере бетатрона. 2016, 2016.
Citace podle MLA (9th ed.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Институт неразрушающего контроля Кафедра промышленной и медицинской электроники, et al. Генерация рентгеновского излучения при скользящем взаимодействии 18 МЭВ электронов с тонким Si кристаллом в камере бетатрона. 2016, 2016.