Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ФВЗЧК-2016

Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ФВЗЧК-2016

Bibliographic Details
Parent link:XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ФВЗЧК-2016.— 2016.— [С. 172]
Main Author: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Corporate Author: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра сварочного производства (КСП)
Other Authors: Литвиненко В. В. Виктория Владимировна
Summary:Заглавие с экрана
Объектами исследования являлись соединения А3В 5 - GaAs и InP n-типа. Цель работы: получение закономерностей образования и отжига радиа- ционных дефектов (РД) в нейтральном объеме (НО) и области пространственно- го заряда (ОПЗ) и построение физических моделей этих процессов с учетом динамики преобразования зарядовых состояний дефектов.
Language:Russian
Published: 2016
Series:Стедновые доклады
Subjects:
электронный ресурс
труды учёных ТПУ
радиационные дефекты
заряды
отжиг
GaAs
InP
Online Access:http://danp.sinp.msu.ru/pci2016/PragramFull_pci2016.pdf#page=192
Format: Electronic Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=651612

Similar Items

Similar Items