Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ФВЗЧК-2016

Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ФВЗЧК-2016

Библиографические подробности
Источник:	XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ФВЗЧК-2016.— 2016.— [С. 172]
Главный автор:	Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Автор-организация:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра сварочного производства (КСП)
Другие авторы:	Литвиненко В. В. Виктория Владимировна
Примечания:	Заглавие с экрана Объектами исследования являлись соединения А3В 5 - GaAs и InP n-типа. Цель работы: получение закономерностей образования и отжига радиа- ционных дефектов (РД) в нейтральном объеме (НО) и области пространственно- го заряда (ОПЗ) и построение физических моделей этих процессов с учетом динамики преобразования зарядовых состояний дефектов.
Язык:	русский
Опубликовано:	2016
Серии:	Стедновые доклады
Предметы:	электронный ресурс труды учёных ТПУ радиационные дефекты заряды отжиг GaAs InP
Online-ссылка:	http://danp.sinp.msu.ru/pci2016/PragramFull_pci2016.pdf#page=192
Формат:	Электронный ресурс Статья
Запись в KOHA:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=651612

Схожие документы

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
по: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Опубликовано: (2010)

Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012
по: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Опубликовано: (2012)

Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
по: Нишизава Дж.-И.
Опубликовано: (2003)

Pulsed ion beam formation of highly doped GaAs layers; Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms; Vol. 139, iss. 1-4
Опубликовано: (1998)

Особенности фотопроводимости компенсированного i-GaAs в области спектра hv>E[ g]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 4
Опубликовано: (2003)

Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка; Известия вузов. Физика; Т. 50, № 1
Опубликовано: (2007)

Оптические свойства пленок GAAS, осажденных импульсной ионной абляцией; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 3
по: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Опубликовано: (2011)

Определение параметров детектора рентгеновского излучения GaAs-512-0.1; Ядерно-физические технологии в клинической и экспериментальной медицине: состояние, проблемы, перспективы
по: Синягина М. А.
Опубликовано: (2013)

Определение мгновенной эффективной энергии тормозного излучения рентгеновских труб; Измерительная техника; № 8
Опубликовано: (2003)

The formation of amplitude spectra in X-ray pixel detectors made of gallium arsenide; Journal of X-Ray Science and Technology; Vol. 25, iss. 4
по: Ayzenshtat G. I.
Опубликовано: (2017)

Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
по: Спирина А. А. Анна Александровна
Опубликовано: (Новосибирск, 2023)

Стойкость светоизлучающих диодов ИК-диапазона к воздействию импульсного лазерного излучения; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 316, № 2: Математика и механика. Физика
Опубликовано: (2010)

Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
по: Щербаков И. Д. Иван Дмитриевич
Опубликовано: (Томск, 2023)

Рассеяние фотона на каналирующем электроне; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами: ФВЗЧК-2016
по: Кунашенко Ю. П. Юрий Петрович
Опубликовано: (2016)

Излучение каналированных релятивистских электронов в оптическом диапазоне; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами: ФВЗЧК-2016
по: Богданов О. В. Олег Викторович
Опубликовано: (2016)

Обзор современных средств численного моделирования синхротронного излучения; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ФВЗЧК-2016
Опубликовано: (2016)

Рождение электрон-позитронных пар каналирующей заряженной частицей; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами: ФВЗЧК-2016
по: Кунашенко Ю. П. Юрий Петрович
Опубликовано: (2016)

Генерация фотонейтронов при каналировании релятивистских электронов в кристалле; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами: ФВЗЧК-2016
по: Богданов О. В. Олег Викторович
Опубликовано: (2016)

Параметрическое рентгеновское излучение релятивистских электронов в области аномальной дифракции; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами: ФВЗЧК-2016
Опубликовано: (2016)

Плазменно-ионная имплантация титана в сплав циркония Э-110; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами: ФВЗЧК-2016
Опубликовано: (2016)

Эффект осцилляций выхода электроядерных реакций при плоскостном каналировании релятивистских электронов; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами: ФВЗЧК-2016
Опубликовано: (2016)

Нагрев тонкой кристаллической мишени при прохождении коротких банчей электронов высокой энергии; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами: ФВЗЧК-2016
по: Бабаев А. А. Антон Анатольевич
Опубликовано: (2016)

Угловой момент излучения релятивистских электронов и позитронов при каналировании в тонких кристаллах; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами: ФВЗЧК-2016
Опубликовано: (2016)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Опубликовано: (2016)

Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами; Журнал радиоэлектроники; № 4
по: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Опубликовано: (2013)

Исследование изменения электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP (λ=624 нм) с множественными квантовыми ямами при воздействии быстрых нейтронов; Журнал радиоэлектроники; № 10
по: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Опубликовано: (2016)

Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами; Журнал радиоэлектроники; № 10
по: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Опубликовано: (2013)

Особенности введения и отжига радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP; Сборник тезисов IV Всероссийской Баховской конференции по радиационной химии, Москва, Россия, 1-3 июня 2005 г.
по: Пешев В. В. Владимир Викторович
Опубликовано: (2005)

Технологии получения гетероструктур AlGaInP; Инновации в машиностроении
по: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Опубликовано: (2012)

Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 10
по: Пешев В. В.
Опубликовано: (2004)

Локальная структура покрытий на основе нитрида титана; XLV Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами: ФВЗЧК-2015
Опубликовано: (2015)

Отклонение заряженных частиц мискат-поверхностью ориентированного кристалла; XLV Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами: ФВЗЧК-2015
Опубликовано: (2015)

Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; Приволжский научный вестник; № 10 (14)
по: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Опубликовано: (2012)

Вольтамперная характеристика InGaTe₂; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 326, № 5
по: Годжаев Э. М. Эльдар Мехрали оглы
Опубликовано: (2015)

Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами; Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке; Т. 1
по: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Опубликовано: (2012)

О применении пироэлектрического эффекта в ускорителях заряженных частиц; XLV Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами: ФВЗЧК-2015
Опубликовано: (2015)

Излучение каналированных релятивистских тяжелых ионов в оптическом диапазоне; XLV Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами: ФВЗЧК-2015
по: Богданов О. В. Олег Викторович
Опубликовано: (2015)

Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; I; Облучение гамма-квантами 60Со; Радиационная физика твердого тела
по: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Опубликовано: (2012)

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP; Студент и научно-технический прогресс
по: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Опубликовано: (2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 2-2
по: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Опубликовано: (2014)