Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP

Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP

Bibliographische Detailangaben
Parent link:XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ФВЗЧК-2016: тезисы докладов, г. Москва, 31 мая - 2 июня 2016 г./ Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (МГУ), Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына (НИИЯФ). [С. 172].— , 2016
1. Verfasser: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Körperschaft: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра сварочного производства (КСП)
Weitere Verfasser: Литвиненко В. В. Виктория Владимировна
Zusammenfassung:Заглавие с экрана
Объектами исследования являлись соединения А3В 5 - GaAs и InP n-типа. Цель работы: получение закономерностей образования и отжига радиа- ционных дефектов (РД) в нейтральном объеме (НО) и области пространственно- го заряда (ОПЗ) и построение физических моделей этих процессов с учетом динамики преобразования зарядовых состояний дефектов.
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: 2016
Schriftenreihe:Стедновые доклады
Schlagworte:
электронный ресурс
труды учёных ТПУ
радиационные дефекты
заряды
отжиг
GaAs
InP
Online-Zugang:http://danp.sinp.msu.ru/pci2016/PragramFull_pci2016.pdf#page=192
Format: Elektronisch Buchkapitel
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=651612

Ähnliche Einträge

Ähnliche Einträge