Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP
| Parent link: | XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ФВЗЧК-2016.— 2016.— [С. 172] |
|---|---|
| Main Author: | |
| Corporate Author: | |
| Other Authors: | |
| Summary: | Заглавие с экрана Объектами исследования являлись соединения А3В 5 - GaAs и InP n-типа. Цель работы: получение закономерностей образования и отжига радиа- ционных дефектов (РД) в нейтральном объеме (НО) и области пространственно- го заряда (ОПЗ) и построение физических моделей этих процессов с учетом динамики преобразования зарядовых состояний дефектов. |
| Language: | Russian |
| Published: |
2016
|
| Series: | Стедновые доклады |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://danp.sinp.msu.ru/pci2016/PragramFull_pci2016.pdf#page=192 |
| Format: | Electronic Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=651612 |