Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ФВЗЧК-2016
| Parent link: | XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ФВЗЧК-2016.— 2016.— [С. 172] |
|---|---|
| Glavni autor: | |
| Autor kompanije: | |
| Daljnji autori: | |
| Sažetak: | Заглавие с экрана Объектами исследования являлись соединения А3В 5 - GaAs и InP n-типа. Цель работы: получение закономерностей образования и отжига радиа- ционных дефектов (РД) в нейтральном объеме (НО) и области пространственно- го заряда (ОПЗ) и построение физических моделей этих процессов с учетом динамики преобразования зарядовых состояний дефектов. |
| Jezik: | ruski |
| Izdano: |
2016
|
| Serija: | Стедновые доклады |
| Teme: | |
| Online pristup: | http://danp.sinp.msu.ru/pci2016/PragramFull_pci2016.pdf#page=192 |
| Format: | Elektronički Poglavlje knjige |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=651612 |