Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ФВЗЧК-2016

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Parent link:	XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ФВЗЧК-2016.— 2016.— [С. 172]
Κύριος συγγραφέας:	Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Συγγραφή απο Οργανισμό/Αρχή:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра сварочного производства (КСП)
Άλλοι συγγραφείς:	Литвиненко В. В. Виктория Владимировна
Περίληψη:	Заглавие с экрана Объектами исследования являлись соединения А3В 5 - GaAs и InP n-типа. Цель работы: получение закономерностей образования и отжига радиа- ционных дефектов (РД) в нейтральном объеме (НО) и области пространственно- го заряда (ОПЗ) и построение физических моделей этих процессов с учетом динамики преобразования зарядовых состояний дефектов.
Γλώσσα:	Ρωσικά
Έκδοση:	2016
Σειρά:	Стедновые доклады
Θέματα:	электронный ресурс труды учёных ТПУ радиационные дефекты заряды отжиг GaAs InP
Διαθέσιμο Online:	http://danp.sinp.msu.ru/pci2016/PragramFull_pci2016.pdf#page=192
Μορφή:	Ηλεκτρονική πηγή Κεφάλαιο βιβλίου
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=651612

Περιγραφή
Περίληψη:	Заглавие с экрана Объектами исследования являлись соединения А3В 5 - GaAs и InP n-типа. Цель работы: получение закономерностей образования и отжига радиа- ционных дефектов (РД) в нейтральном объеме (НО) и области пространственно- го заряда (ОПЗ) и построение физических моделей этих процессов с учетом динамики преобразования зарядовых состояний дефектов.

Παρόμοια τεκμήρια