Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ФВЗЧК-2016

Detalhes bibliográficos
Parent link:	XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ФВЗЧК-2016.— 2016.— [С. 172]
Autor principal:	Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Autor Corporativo:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра сварочного производства (КСП)
Outros Autores:	Литвиненко В. В. Виктория Владимировна
Resumo:	Заглавие с экрана Объектами исследования являлись соединения А3В 5 - GaAs и InP n-типа. Цель работы: получение закономерностей образования и отжига радиа- ционных дефектов (РД) в нейтральном объеме (НО) и области пространственно- го заряда (ОПЗ) и построение физических моделей этих процессов с учетом динамики преобразования зарядовых состояний дефектов.
Idioma:	russo
Publicado em:	2016
Colecção:	Стедновые доклады
Assuntos:	электронный ресурс труды учёных ТПУ радиационные дефекты заряды отжиг GaAs InP
Acesso em linha:	http://danp.sinp.msu.ru/pci2016/PragramFull_pci2016.pdf#page=192
Formato:	Recurso Electrónico Capítulo de Livro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=651612

Descrição
Resumo:	Заглавие с экрана Объектами исследования являлись соединения А3В 5 - GaAs и InP n-типа. Цель работы: получение закономерностей образования и отжига радиа- ционных дефектов (РД) в нейтральном объеме (НО) и области пространственно- го заряда (ОПЗ) и построение физических моделей этих процессов с учетом динамики преобразования зарядовых состояний дефектов.

Registos relacionados