Угловой момент излучения релятивистских электронов и позитронов при каналировании в тонких кристаллах; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами: ФВЗЧК-2016

Bibliographic Details
Parent link:XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами: ФВЗЧК-2016.— 2016.— [С. 66]
Corporate Authors: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра высшей математики и математической физики (ВММФ), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт международного образования и языковой коммуникации (ИМОЯК) Кафедра междисциплинарная (МД)
Other Authors: Абдрашитов С. В. Сергей Владимирович, Богданов О. В. Олег Викторович, Пивоваров Ю. Л. Юрий Леонидович, Тухфатуллин Т. А. Тимур Ахатович
Summary:Заглавие с экрана
Выполненные недавно эксперименты /1/ убедительно продемонстрировали эффект отражения электронов при плоскостном каналировании в полуволновом кристалле Si. В /2/ с применением кода BCM-1 /3/ исследованы особенности спектров излучения релятивистских электронов при таком виде движения в кристалле. Оценки величины орбитального углового момента (ОУМ) фотонов спектре излучения позитронов при плоскостном каналировании в тонком кристалле Si выполнены в /4/. Нами, с использованием компьютерного кода BCM-1 детально исследована зависимость ОУМ фотонов излучения при каналировании релятивистских электронов и позитронов в тонких кристаллах от начальной энергии, угла влета и типа траектории. Расчеты выполнены для электронов с энергиями 155 МэВ (INFN-LNF) и 255 МэВ (SAGA-LS) при каналировании в тонком кристалле Si. Предлагаемая схема получения излучения, обладающего ОУМ, по сравнению ондуляторным излучением (99 эВ) /5/, позволяет генерировать излучение с ОУМ фотонов более высоких энергий.
Language:Russian
Published: 2016
Series:Излучение электронов и позитронов в твёрдом теле
Subjects:
Online Access:http://danp.sinp.msu.ru/pci2016/PragramFull_pci2016.pdf#page=86
Format: Electronic Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=650634

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 650634
005 20250903154507.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\15852 
090 |a 650634 
100 |a 20161013d2016 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
135 |a drcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Угловой момент излучения релятивистских электронов и позитронов при каналировании в тонких кристаллах  |f С. В. Абдрашитов [и др.] 
203 |a Текст  |c электронный 
225 1 |a Излучение электронов и позитронов в твёрдом теле 
300 |a Заглавие с экрана 
320 |a [Библиогр.: 5 назв.] 
330 |a Выполненные недавно эксперименты /1/ убедительно продемонстрировали эффект отражения электронов при плоскостном каналировании в полуволновом кристалле Si. В /2/ с применением кода BCM-1 /3/ исследованы особенности спектров излучения релятивистских электронов при таком виде движения в кристалле. Оценки величины орбитального углового момента (ОУМ) фотонов спектре излучения позитронов при плоскостном каналировании в тонком кристалле Si выполнены в /4/. Нами, с использованием компьютерного кода BCM-1 детально исследована зависимость ОУМ фотонов излучения при каналировании релятивистских электронов и позитронов в тонких кристаллах от начальной энергии, угла влета и типа траектории. Расчеты выполнены для электронов с энергиями 155 МэВ (INFN-LNF) и 255 МэВ (SAGA-LS) при каналировании в тонком кристалле Si. Предлагаемая схема получения излучения, обладающего ОУМ, по сравнению ондуляторным излучением (99 эВ) /5/, позволяет генерировать излучение с ОУМ фотонов более высоких энергий. 
463 |t XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами: ФВЗЧК-2016  |o тезисы докладов, г. Москва, 31 мая - 2 июня 2016 г.  |f Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (МГУ), Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына (НИИЯФ)  |v [С. 66]  |d 2016 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a релятивистские электроны 
610 1 |a релятивистские позитроны 
610 1 |a угловые моменты 
701 1 |a Абдрашитов  |b С. В.  |c физик  |c ассистент Томского политехнического университета  |f 1987-  |g Сергей Владимирович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\31516 
701 1 |a Богданов  |b О. В.  |c физик  |c доцент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук  |f 1981-  |g Олег Викторович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\31359  |9 15531 
701 1 |a Пивоваров  |b Ю. Л.  |g Юрий Леонидович 
701 1 |a Тухфатуллин  |b Т. А.  |c физик  |c доцент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук  |f 1971-  |g Тимур Ахатович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\27114 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Физико-технический институт (ФТИ)  |b Кафедра высшей математики и математической физики (ВММФ)  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18727 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Институт международного образования и языковой коммуникации (ИМОЯК)  |b Кафедра междисциплинарная (МД)  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\19012 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20161013  |g RCR 
856 4 |u http://danp.sinp.msu.ru/pci2016/PragramFull_pci2016.pdf#page=86 
942 |c CF