Угловой момент излучения релятивистских электронов и позитронов при каналировании в тонких кристаллах
| Parent link: | XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами: ФВЗЧК-2016: тезисы докладов, г. Москва, 31 мая - 2 июня 2016 г./ Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (МГУ), Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына (НИИЯФ). [С. 66].— , 2016 |
|---|---|
| Corporate Authors: | , |
| Other Authors: | , , , |
| Summary: | Заглавие с экрана Выполненные недавно эксперименты /1/ убедительно продемонстрировали эффект отражения электронов при плоскостном каналировании в полуволновом кристалле Si. В /2/ с применением кода BCM-1 /3/ исследованы особенности спектров излучения релятивистских электронов при таком виде движения в кристалле. Оценки величины орбитального углового момента (ОУМ) фотонов спектре излучения позитронов при плоскостном каналировании в тонком кристалле Si выполнены в /4/. Нами, с использованием компьютерного кода BCM-1 детально исследована зависимость ОУМ фотонов излучения при каналировании релятивистских электронов и позитронов в тонких кристаллах от начальной энергии, угла влета и типа траектории. Расчеты выполнены для электронов с энергиями 155 МэВ (INFN-LNF) и 255 МэВ (SAGA-LS) при каналировании в тонком кристалле Si. Предлагаемая схема получения излучения, обладающего ОУМ, по сравнению ондуляторным излучением (99 эВ) /5/, позволяет генерировать излучение с ОУМ фотонов более высоких энергий. |
| Published: |
2016
|
| Series: | Излучение электронов и позитронов в твёрдом теле |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://danp.sinp.msu.ru/pci2016/PragramFull_pci2016.pdf#page=86 |
| Format: | Electronic Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=650634 |