Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Лаборатория № 33 ядерного реактора, Varlachev V. A. Valery Aleksandrovich, Golovathkiy A. V. Aleksey Vasilievich, Emets E. G. Evgeny Gennadievich, & Butko Ya. A. Yana Aleksandrovna. (2016). The ability to create NTD silicon technology in the IRT-T reactor in a horizontal experimental channel with one-side access. 2016. https://doi.org/10.1088/1757-899X/135/1/012047
Čikaški stil citiranja (17. izdanje)Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Лаборатория № 33 ядерного реактора, Varlachev V. A. Valery Aleksandrovich, Golovathkiy A. V. Aleksey Vasilievich, Emets E. G. Evgeny Gennadievich, i Butko Ya. A. Yana Aleksandrovna. The Ability to Create NTD Silicon Technology in the IRT-T Reactor in a Horizontal Experimental Channel with One-side Access. 2016, 2016. https://doi.org/10.1088/1757-899X/135/1/012047.
MLA način citiranja (9. izdanje)Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Лаборатория № 33 ядерного реактора, et al. The Ability to Create NTD Silicon Technology in the IRT-T Reactor in a Horizontal Experimental Channel with One-side Access. 2016, 2016. https://doi.org/10.1088/1757-899X/135/1/012047.