Диффузия магния в кристаллах LiF в условиях радиационно-термического нагрева; Перспективные материалы; № 2
| Parent link: | Перспективные материалы.— , 1995- № 2.— 2004.— [С. 77-82] |
|---|---|
| Άλλοι συγγραφείς: | , , , |
| Περίληψη: | Заглавие с экрана Представлены результаты исследований методом масс-спектрометрии вторичных ионов высокотемпературной диффузии гетеровалентного катиона магния в кристаллы LiF, осуществляемой из пленки фторида магния при интенсивном электронном облучении. Показано, что диффузионный отжиг, реализованный с помощью пучка ускоренных электронов, практически не влияет на диффузию ионов Mg в LiF во всем исследованном интервале температур 870-1073 К. Проведено сопоставление этих данных с ранее полученными результатами по стимулирующему действию радиации на диффузию магния из металлич. пленки в KBr. Показано, что установленные отличия в эффектах воздействия радиации на диффузионный процесс в кристаллах LiF и KBr, не поддаются интерпретации в рамках единого механизма диффузии примеси. Отсутствие эффекта радиационной стимуляции диффузии (РСД) в кристаллах LiF объяснено высокой исходной диффузионной активностью магния в области высоких температур и согласуется с выполненными оценками эффективности наиболее реальных механизмов РСД в щелочно-галоидных кристаллах. Предполагается, что из-за окисления металлич. магния при отжиге кристаллов KBr диффузионная активность примеси резко снижается, что позволило наблюдать позитивный эффект РСД. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Γλώσσα: | Ρωσικά |
| Έκδοση: |
2004
|
| Θέματα: | |
| Διαθέσιμο Online: | http://elibrary.ru/item.asp?id=21260418 |
| Μορφή: | MixedMaterials Ηλεκτρονική πηγή Κεφάλαιο βιβλίου |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=649221 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 649221 | ||
| 005 | 20250303133319.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\network\14382 | ||
| 035 | |a RU\TPU\network\14381 | ||
| 090 | |a 649221 | ||
| 100 | |a 20160624d2004 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Диффузия магния в кристаллах LiF в условиях радиационно-термического нагрева |f А. П. Суржиков [и др.] | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 82 (12 назв.)] | ||
| 330 | |a Представлены результаты исследований методом масс-спектрометрии вторичных ионов высокотемпературной диффузии гетеровалентного катиона магния в кристаллы LiF, осуществляемой из пленки фторида магния при интенсивном электронном облучении. Показано, что диффузионный отжиг, реализованный с помощью пучка ускоренных электронов, практически не влияет на диффузию ионов Mg в LiF во всем исследованном интервале температур 870-1073 К. Проведено сопоставление этих данных с ранее полученными результатами по стимулирующему действию радиации на диффузию магния из металлич. пленки в KBr. Показано, что установленные отличия в эффектах воздействия радиации на диффузионный процесс в кристаллах LiF и KBr, не поддаются интерпретации в рамках единого механизма диффузии примеси. Отсутствие эффекта радиационной стимуляции диффузии (РСД) в кристаллах LiF объяснено высокой исходной диффузионной активностью магния в области высоких температур и согласуется с выполненными оценками эффективности наиболее реальных механизмов РСД в щелочно-галоидных кристаллах. Предполагается, что из-за окисления металлич. магния при отжиге кристаллов KBr диффузионная активность примеси резко снижается, что позволило наблюдать позитивный эффект РСД. | ||
| 333 | |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса | ||
| 461 | |t Перспективные материалы |d 1995- | ||
| 463 | |t № 2 |v [С. 77-82] |d 2004 | ||
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a магний | |
| 610 | 1 | |a диффузия | |
| 610 | 1 | |a литий фторид | |
| 701 | 1 | |a Суржиков |b А. П. |c физик |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук |f 1951- |g Анатолий Петрович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\22010 |9 9307 | |
| 701 | 1 | |a Чернявский |b А. В. |c специалист в области электроники |c старший научный сотрудник Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук |f 1966- |g Александр Викторович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\26556 |9 12245 | |
| 701 | 1 | |a Гынгазов |b С. А. |c специалист в области электроники |c профессор Томского политехнического университета, доктор технических наук |f 1958- |g Сергей Анатольевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\26531 |9 12225 | |
| 701 | 1 | |a Франгульян |b Т. С. |c специалист в области электроники, диэлектриков и полупроводников |c ведущий научный сотрудник Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук |f 1940- |g Тамара Семёновна |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\26534 |9 12228 | |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20160624 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u http://elibrary.ru/item.asp?id=21260418 | |
| 942 | |c CF | ||