Aluminum films deposition by magnetron sputtering systems:Influence of target state and pulsing unit; Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures, OPEN 2016

গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
Parent link:Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures, OPEN 2016.— 2016.— [P. 571-572]
সংস্থা লেখক: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра экспериментальной физики (ЭФ), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра общей физики (ОФ)
অন্যান্য লেখক: Sidelev D. V. Dmitry Vladimirovich, Yuryeva A. V. Alena Victorovna, Krivobokov V. P. Valery Pavlovich, Shabunin A. S. Artem Sergeevich, Syrtanov M. S. Maksim Sergeevich, Koyshybaeva Zh. K. Zhanymgul Koyshybaykyzy
সংক্ষিপ্ত:Title screen
This article reports on technological possibilities of magnetron sputtering systemswith solid-state and liquid targets to deposition of Al films and its structure. There is shown acomparing of deposition rate of magnetron sputtering systems with direct current (DC), midfrequency(MF) and high power pulsed (HiPIMS) supplies. The dependence of plasmacomposition, films stricture and sputtering technique parameters is obtained.
ভাষা:ইংরেজি
প্রকাশিত: 2016
বিষয়গুলি:
অনলাইন ব্যবহার করুন:http://spbopen.spbau.com/PDF/Book_of_Abstracts_SPBOPEN_2016.pdf#page=571
বিন্যাস: বৈদ্যুতিক গ্রন্থের অধ্যায়
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648815