Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 8-3
| Источник: | Известия вузов. Физика.— , 1957- Т. 58, № 8-3.— 2015.— [С. 276-278] |
|---|---|
| Автор-организация: | Национальный исследовательский Томский политехнический университет Институт физики высоких технологий Кафедра лазерной и световой техники |
| Другие авторы: | Кистенева М. Г. Марина Григорьевна, Акрестина А. С. Анна Сергеевна, Худякова Е. С. Евгения Сергеевна, Щербина В. В. Веста Вячеславовна, Бородин М. В. Максим Викторович, Шандаров В. М. Владимир Михайлович, Шандаров С. М. Станислав Михайлович, Лисицын В. М. Виктор Михайлович, Степанов С. А. Сергей Александрович |
| Примечания: | Заглавие с экрана Для пленочных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировых подложках, экспериментально изучены спектры отражения (для угла падения на границу раздела пленка - воздух 0°) в диапазоне 200-2700 нм, а также спектры волноводных ТЕ -мод, возбуждаемых методом призменной связи на длинах волн 526.5; 532; 632.8 и 1053 нм. Экспериментально получена волноводная генерация второй гармоники на ТМ -модах при накачке с длиной волны 1053 нм. Для исследованных структур проведена аппроксимация спектральной зависимости коэффициента отражения в диапазоне 1000-2700 нм и профиля показателя преломления на длине волны 633 нм. The reflection spectra in the range from 200 to 2700 nm and spectra of waveguide TE-modes in GaN/InGaN film structure grown on sapphire substrate were investigated. TE -modes were activated by a prism coupling method at wavelength of 526.5; 532; 632.8 and 1053 nm. The second-harmonic generation on TM-modes excited at wavelength of 1053 nm was experimentally obtained. Approximation of the spectral dependence of a reflection coefficient in the range of 200-2700 nm and a refractive index profile at wavelength of 633 nm was carried out for the investigated GaN/InGaN film structure. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Язык: | русский |
| Опубликовано: |
2015
|
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://elibrary.ru/item.asp?id=25868244 |
| Формат: | Электронный ресурс Статья |
| Запись в KOHA: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648613 |
Схожие документы
Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3; Ресурсоэффективным технологиям - энергию и энтузиазм молодых
по: Сычева А. В.
Опубликовано: (2014)
по: Сычева А. В.
Опубликовано: (2014)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
по: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2018)
по: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2018)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
по: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2017)
по: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2017)
Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3; Современные техника и технологии; Т. 2
по: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Опубликовано: (2014)
по: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Опубликовано: (2014)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
по: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Опубликовано: (Томск, 2017)
по: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Опубликовано: (Томск, 2017)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
по: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Опубликовано: (Томск, 2018)
по: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Опубликовано: (Томск, 2018)
Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
по: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Опубликовано: (Новосибирск, 2025)
по: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Опубликовано: (Новосибирск, 2025)
Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
по: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Опубликовано: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)
по: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Опубликовано: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)
Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
по: Олешко В. И. Владимир Иванович
Опубликовано: (2015)
по: Олешко В. И. Владимир Иванович
Опубликовано: (2015)
Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN; Высокие технологии в современной науке и технике
Опубликовано: (2015)
Опубликовано: (2015)
Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Опубликовано: (2016)
Опубликовано: (2016)
Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
по: Олешко В. И. Владимир Иванович
Опубликовано: (2013)
по: Олешко В. И. Владимир Иванович
Опубликовано: (2013)
Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок: монография
по: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Опубликовано: (Новосибирск, Наука, 1978)
по: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Опубликовано: (Новосибирск, Наука, 1978)
Новый государственный первичный эталон; Стандарты и качество; № 2
Опубликовано: (2004)
Опубликовано: (2004)
Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
по: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Опубликовано: (Москва, Энергия, 1974)
по: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Опубликовано: (Москва, Энергия, 1974)
Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures; Russian Physics Journal; Vol. 55, iss. 7
по: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Опубликовано: (2012)
по: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Опубликовано: (2012)
Destruction of LED heterostructures under high-current electron beam irradiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 511 : Perspective Materials of Constructional and Medical Purpose
по: Zixuan Li
Опубликовано: (2019)
по: Zixuan Li
Опубликовано: (2019)
Измерение показателя преломления жидкостей и твердых тел на рефрактометре ИРФ-454 Б2М: Практикум
по: Сомов Н. В.
Опубликовано: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2022)
по: Сомов Н. В.
Опубликовано: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2022)
X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire; ACS Nano; Vol. 11, iss. 7
Опубликовано: (2017)
Опубликовано: (2017)
Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
по: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Опубликовано: (2012)
по: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Опубликовано: (2012)
Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Опубликовано: (2013)
Опубликовано: (2013)
The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures; Technical Physics Letters; Vol. 41, iss. 8
по: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Опубликовано: (2015)
по: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Опубликовано: (2015)
Жидкостный лазерный интерференционный рефрактометр для измерения концентрации растворов; Измерительная техника; № 12
по: Лейбенгардт Г. И.
Опубликовано: (2004)
по: Лейбенгардт Г. И.
Опубликовано: (2004)
Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках; Прикладная физика; № 3
по: Олешко В. И. Владимир Иванович
Опубликовано: (2024)
по: Олешко В. И. Владимир Иванович
Опубликовано: (2024)
Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
по: Олешко В. И. Владимир Иванович
Опубликовано: (2013)
по: Олешко В. И. Владимир Иванович
Опубликовано: (2013)
Государственный первичный эталон единицы показателя преломления; Измерительная техника; № 11
по: Вишняков Г. Н.
Опубликовано: (2004)
по: Вишняков Г. Н.
Опубликовано: (2004)
Разрушение светодиодных гетероструктур при облучении сильноточным электронным пучком; Перспективные материалы конструкционного и медицинского назначения
по: Ли Цзысюань
Опубликовано: (2018)
по: Ли Цзысюань
Опубликовано: (2018)
Самоиндуцированная сверхпрозрачность в инжекционных лазерах малых размеров; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 126, вып. 2
по: Страхов В. П.
Опубликовано: (2004)
по: Страхов В. П.
Опубликовано: (2004)
Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Письма в Журнал технической физики; Т. 41, вып. 15
по: Олешко В. И. Владимир Иванович
Опубликовано: (2015)
по: Олешко В. И. Владимир Иванович
Опубликовано: (2015)
Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
по: Ли Цзысюань
Опубликовано: (2017)
по: Ли Цзысюань
Опубликовано: (2017)
Волноводные устройства сантиметровых и миллиметровых волн
по: Шаров Г. А. Герман Александрович
Опубликовано: (Москва, Горячая линия-Телеком, 2016)
по: Шаров Г. А. Герман Александрович
Опубликовано: (Москва, Горячая линия-Телеком, 2016)
Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, iss. 5
Опубликовано: (2022)
Опубликовано: (2022)
Экспериментальные свидетельства магнитно-двухфазного состояния в тонких эпитаксиальных пленках [Re0.6Ba0.4MnO3] (Re=La, Pr, Nd, Gd); Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 125, вып. 3
Опубликовано: (2004)
Опубликовано: (2004)
Медицинская физика. Лабораторный практикум. Часть 1
по: Юдинцев А. В.
Опубликовано: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2022)
по: Юдинцев А. В.
Опубликовано: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2022)
Радиометеорология: пер. с англ.
по: Бин Б. Р.
Опубликовано: (Ленинград, Гидрометеоиздат, 1971)
по: Бин Б. Р.
Опубликовано: (Ленинград, Гидрометеоиздат, 1971)
Numerical model of water medium with methane inclusions: Application for determining optical radiation extinction; Control and Communications (SIBCON)
по: Shefer O. V. Olga Vladimirovna
Опубликовано: (2016)
по: Shefer O. V. Olga Vladimirovna
Опубликовано: (2016)
Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices
по: Narita, Tetsuo
Опубликовано: (2020)
по: Narita, Tetsuo
Опубликовано: (2020)
Волноводные синхротроны
Опубликовано: (М, Атомиздат, 1966)
Опубликовано: (М, Атомиздат, 1966)
Оптика. Атомная физика лабораторный практикум. специальность 060601.65 (30.05.01) – медицинская биохимия. квалификация выпускника – специалист
по: Беджанян М. А.
Опубликовано: (Ставрополь, СКФУ, 2015)
по: Беджанян М. А.
Опубликовано: (Ставрополь, СКФУ, 2015)
Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.12.11
по: Чижевич Л. А.
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 1974)
по: Чижевич Л. А.
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 1974)
Схожие документы
-
Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3; Ресурсоэффективным технологиям - энергию и энтузиазм молодых
по: Сычева А. В.
Опубликовано: (2014) -
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
по: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2018) -
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
по: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2017) -
Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3; Современные техника и технологии; Т. 2
по: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Опубликовано: (2014) -
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
по: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Опубликовано: (Томск, 2017)