Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 8-3
| Parent link: | Известия вузов. Физика.— , 1957- Т. 58, № 8-3.— 2015.— [С. 276-278] |
|---|---|
| Autor corporatiu: | Национальный исследовательский Томский политехнический университет Институт физики высоких технологий Кафедра лазерной и световой техники |
| Altres autors: | Кистенева М. Г. Марина Григорьевна, Акрестина А. С. Анна Сергеевна, Худякова Е. С. Евгения Сергеевна, Щербина В. В. Веста Вячеславовна, Бородин М. В. Максим Викторович, Шандаров В. М. Владимир Михайлович, Шандаров С. М. Станислав Михайлович, Лисицын В. М. Виктор Михайлович, Степанов С. А. Сергей Александрович |
| Sumari: | Заглавие с экрана Для пленочных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировых подложках, экспериментально изучены спектры отражения (для угла падения на границу раздела пленка - воздух 0°) в диапазоне 200-2700 нм, а также спектры волноводных ТЕ -мод, возбуждаемых методом призменной связи на длинах волн 526.5; 532; 632.8 и 1053 нм. Экспериментально получена волноводная генерация второй гармоники на ТМ -модах при накачке с длиной волны 1053 нм. Для исследованных структур проведена аппроксимация спектральной зависимости коэффициента отражения в диапазоне 1000-2700 нм и профиля показателя преломления на длине волны 633 нм. The reflection spectra in the range from 200 to 2700 nm and spectra of waveguide TE-modes in GaN/InGaN film structure grown on sapphire substrate were investigated. TE -modes were activated by a prism coupling method at wavelength of 526.5; 532; 632.8 and 1053 nm. The second-harmonic generation on TM-modes excited at wavelength of 1053 nm was experimentally obtained. Approximation of the spectral dependence of a reflection coefficient in the range of 200-2700 nm and a refractive index profile at wavelength of 633 nm was carried out for the investigated GaN/InGaN film structure. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Idioma: | rus |
| Publicat: |
2015
|
| Matèries: | |
| Accés en línia: | http://elibrary.ru/item.asp?id=25868244 |
| Format: | Electrònic Capítol de llibre |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648613 |
Ítems similars
Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3; Ресурсоэффективным технологиям - энергию и энтузиазм молодых
per: Сычева А. В.
Publicat: (2014)
per: Сычева А. В.
Publicat: (2014)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
per: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2018)
per: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2018)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
per: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicat: (Томск, 2017)
per: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicat: (Томск, 2017)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
per: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2017)
per: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2017)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
per: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicat: (Томск, 2018)
per: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicat: (Томск, 2018)
Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3; Современные техника и технологии; Т. 2
per: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicat: (2014)
per: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicat: (2014)
Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN; Высокие технологии в современной науке и технике
Publicat: (2015)
Publicat: (2015)
Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
per: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicat: (2015)
per: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicat: (2015)
Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
per: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Publicat: (Новосибирск, 2025)
per: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Publicat: (Новосибирск, 2025)
Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
per: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Publicat: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)
per: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Publicat: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)
Новый государственный первичный эталон; Стандарты и качество; № 2
Publicat: (2004)
Publicat: (2004)
Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Publicat: (2016)
Publicat: (2016)
Измерение показателя преломления жидкостей и твердых тел на рефрактометре ИРФ-454 Б2М: Практикум
per: Сомов Н. В.
Publicat: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2022)
per: Сомов Н. В.
Publicat: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2022)
Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
per: Ли Цзысюань
Publicat: (2017)
per: Ли Цзысюань
Publicat: (2017)
Жидкостный лазерный интерференционный рефрактометр для измерения концентрации растворов; Измерительная техника; № 12
per: Лейбенгардт Г. И.
Publicat: (2004)
per: Лейбенгардт Г. И.
Publicat: (2004)
Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
per: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicat: (2013)
per: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicat: (2013)
Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures; Russian Physics Journal; Vol. 55, iss. 7
per: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Publicat: (2012)
per: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Publicat: (2012)
Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.12.11
per: Чижевич Л. А.
Publicat: (Томск, [Б. и.], 1974)
per: Чижевич Л. А.
Publicat: (Томск, [Б. и.], 1974)
Государственный первичный эталон единицы показателя преломления; Измерительная техника; № 11
per: Вишняков Г. Н.
Publicat: (2004)
per: Вишняков Г. Н.
Publicat: (2004)
Самоиндуцированная сверхпрозрачность в инжекционных лазерах малых размеров; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 126, вып. 2
per: Страхов В. П.
Publicat: (2004)
per: Страхов В. П.
Publicat: (2004)
The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures; Technical Physics Letters; Vol. 41, iss. 8
per: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Publicat: (2015)
per: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Publicat: (2015)
X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire; ACS Nano; Vol. 11, iss. 7
Publicat: (2017)
Publicat: (2017)
Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
per: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Publicat: (2012)
per: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Publicat: (2012)
Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Publicat: (2013)
Publicat: (2013)
Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках; Прикладная физика; № 3
per: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicat: (2024)
per: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicat: (2024)
Волноводные устройства сантиметровых и миллиметровых волн
per: Шаров Г. А. Герман Александрович
Publicat: (Москва, Горячая линия-Телеком, 2016)
per: Шаров Г. А. Герман Александрович
Publicat: (Москва, Горячая линия-Телеком, 2016)
Оптика. Атомная физика лабораторный практикум. специальность 060601.65 (30.05.01) – медицинская биохимия. квалификация выпускника – специалист
per: Беджанян М. А.
Publicat: (Ставрополь, СКФУ, 2015)
per: Беджанян М. А.
Publicat: (Ставрополь, СКФУ, 2015)
Медицинская физика. Лабораторный практикум. Часть 1
per: Юдинцев А. В.
Publicat: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2022)
per: Юдинцев А. В.
Publicat: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2022)
Радиометеорология: пер. с англ.
per: Бин Б. Р.
Publicat: (Ленинград, Гидрометеоиздат, 1971)
per: Бин Б. Р.
Publicat: (Ленинград, Гидрометеоиздат, 1971)
Numerical model of water medium with methane inclusions: Application for determining optical radiation extinction; Control and Communications (SIBCON)
per: Shefer O. V. Olga Vladimirovna
Publicat: (2016)
per: Shefer O. V. Olga Vladimirovna
Publicat: (2016)
Волноводные синхротроны
Publicat: (М, Атомиздат, 1966)
Publicat: (М, Атомиздат, 1966)
Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
per: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicat: (2013)
per: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicat: (2013)
Предельные эффективности нелинейно-оптических процессов в микроструктурированных волокнах; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 124, вып. 3
per: Желтиков А. М.
Publicat: (2003)
per: Желтиков А. М.
Publicat: (2003)
Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок: монография
per: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Publicat: (Новосибирск, Наука, 1978)
per: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Publicat: (Новосибирск, Наука, 1978)
Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Письма в Журнал технической физики; Т. 41, вып. 15
per: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicat: (2015)
per: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicat: (2015)
Sur l'indice de réfraction atomique du fluor: [оттиск статьи]
per: Swarts Fred. Frédéric
Publicat: (Bruxelles, Hayez, Imprimeur de L'Académie Royale des Sciences, Des lettres et des beaux-arts de Belgique, 1897)
per: Swarts Fred. Frédéric
Publicat: (Bruxelles, Hayez, Imprimeur de L'Académie Royale des Sciences, Des lettres et des beaux-arts de Belgique, 1897)
Дисперсия, поглощение света и молекулярная рефракция учебное пособие
per: Иванов Д. Ю.
Publicat: (Санкт-Петербург, БГТУ "Военмех" им. Д.Ф. Устинова, 2018)
per: Иванов Д. Ю.
Publicat: (Санкт-Петербург, БГТУ "Военмех" им. Д.Ф. Устинова, 2018)
Волноводные линии передач
per: Ефимов И. Е. Иван Ефимович
Publicat: (Москва, Связь, 1979)
per: Ефимов И. Е. Иван Ефимович
Publicat: (Москва, Связь, 1979)
Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, iss. 5
Publicat: (2022)
Publicat: (2022)
Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices
per: Narita, Tetsuo
Publicat: (2020)
per: Narita, Tetsuo
Publicat: (2020)
Ítems similars
-
Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3; Ресурсоэффективным технологиям - энергию и энтузиазм молодых
per: Сычева А. В.
Publicat: (2014) -
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
per: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2018) -
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
per: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicat: (Томск, 2017) -
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
per: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2017) -
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
per: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicat: (Томск, 2018)