Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке
| Parent link: | Известия вузов. Физика.— , 1957- Т. 58, № 8-3.— 2015.— [С. 276-278] |
|---|---|
| Corporate Author: | Национальный исследовательский Томский политехнический университет Институт физики высоких технологий Кафедра лазерной и световой техники |
| Other Authors: | Кистенева М. Г. Марина Григорьевна, Акрестина А. С. Анна Сергеевна, Худякова Е. С. Евгения Сергеевна, Щербина В. В. Веста Вячеславовна, Бородин М. В. Максим Викторович, Шандаров В. М. Владимир Михайлович, Шандаров С. М. Станислав Михайлович, Лисицын В. М. Виктор Михайлович, Степанов С. А. Сергей Александрович |
| Summary: | Заглавие с экрана Для пленочных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировых подложках, экспериментально изучены спектры отражения (для угла падения на границу раздела пленка - воздух 0°) в диапазоне 200-2700 нм, а также спектры волноводных ТЕ -мод, возбуждаемых методом призменной связи на длинах волн 526.5; 532; 632.8 и 1053 нм. Экспериментально получена волноводная генерация второй гармоники на ТМ -модах при накачке с длиной волны 1053 нм. Для исследованных структур проведена аппроксимация спектральной зависимости коэффициента отражения в диапазоне 1000-2700 нм и профиля показателя преломления на длине волны 633 нм. The reflection spectra in the range from 200 to 2700 nm and spectra of waveguide TE-modes in GaN/InGaN film structure grown on sapphire substrate were investigated. TE -modes were activated by a prism coupling method at wavelength of 526.5; 532; 632.8 and 1053 nm. The second-harmonic generation on TM-modes excited at wavelength of 1053 nm was experimentally obtained. Approximation of the spectral dependence of a reflection coefficient in the range of 200-2700 nm and a refractive index profile at wavelength of 633 nm was carried out for the investigated GaN/InGaN film structure. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Language: | Russian |
| Published: |
2015
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://elibrary.ru/item.asp?id=25868244 |
| Format: | Electronic Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648613 |
Similar Items
Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3
by: Сычева А. В.
Published: (2014)
by: Сычева А. В.
Published: (2014)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, [Б. и.], 2018)
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, [Б. и.], 2018)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, 2017)
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, 2017)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, [Б. и.], 2017)
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, [Б. и.], 2017)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, 2018)
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, 2018)
Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN
Published: (2015)
Published: (2015)
Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2015)
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2015)
Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3
by: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (2014)
by: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (2014)
Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.11
by: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Published: (Новосибирск, 2025)
by: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Published: (Новосибирск, 2025)
Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN
Published: (2016)
Published: (2016)
Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям
by: Ли Цзысюань
Published: (2017)
by: Ли Цзысюань
Published: (2017)
Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
by: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Published: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)
by: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Published: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)
Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2013)
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2013)
Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures
by: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Published: (2012)
by: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Published: (2012)
Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям
Published: (2013)
Published: (2013)
The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures
by: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Published: (2015)
by: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Published: (2015)
Новый государственный первичный эталон
Published: (2004)
Published: (2004)
Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
by: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Published: (2012)
by: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Published: (2012)
Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2011)
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2011)
X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire
Published: (2017)
Published: (2017)
Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2015)
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2015)
Измерение показателя преломления жидкостей и твердых тел на рефрактометре ИРФ-454 Б2М: Практикум
by: Сомов Н. В.
Published: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2022)
by: Сомов Н. В.
Published: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2022)
Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.12.11
by: Чижевич Л. А.
Published: (Томск, [Б. и.], 1974)
by: Чижевич Л. А.
Published: (Томск, [Б. и.], 1974)
Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2013)
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2013)
Жидкостный лазерный интерференционный рефрактометр для измерения концентрации растворов
by: Лейбенгардт Г. И.
Published: (2004)
by: Лейбенгардт Г. И.
Published: (2004)
Государственный первичный эталон единицы показателя преломления
by: Вишняков Г. Н.
Published: (2004)
by: Вишняков Г. Н.
Published: (2004)
Волноводные устройства сантиметровых и миллиметровых волн
by: Шаров Г. А. Герман Александрович
Published: (Москва, Горячая линия-Телеком, 2016)
by: Шаров Г. А. Герман Александрович
Published: (Москва, Горячая линия-Телеком, 2016)
Волноводные синхротроны
Published: (М, Атомиздат, 1966)
Published: (М, Атомиздат, 1966)
Самоиндуцированная сверхпрозрачность в инжекционных лазерах малых размеров
by: Страхов В. П.
Published: (2004)
by: Страхов В. П.
Published: (2004)
Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures
Published: (2022)
Published: (2022)
Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок монография
by: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Published: (Новосибирск, Наука, 1978)
by: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Published: (Новосибирск, Наука, 1978)
Предельные эффективности нелинейно-оптических процессов в микроструктурированных волокнах
by: Желтиков А. М.
Published: (2003)
by: Желтиков А. М.
Published: (2003)
Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2024)
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2024)
Волноводные линии передач
by: Ефимов И. Е. Иван Ефимович
Published: (Москва, Связь, 1979)
by: Ефимов И. Е. Иван Ефимович
Published: (Москва, Связь, 1979)
Радиометеорология пер. с англ.
by: Бин Б. Р.
Published: (Ленинград, Гидрометеоиздат, 1971)
by: Бин Б. Р.
Published: (Ленинград, Гидрометеоиздат, 1971)
Numerical model of water medium with methane inclusions: Application for determining optical radiation extinction
by: Shefer O. V. Olga Vladimirovna
Published: (2016)
by: Shefer O. V. Olga Vladimirovna
Published: (2016)
Медицинская физика. Лабораторный практикум. Часть 1
by: Юдинцев А. В.
Published: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2022)
by: Юдинцев А. В.
Published: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2022)
Оптика. Атомная физика лабораторный практикум. специальность 060601.65 (30.05.01) – медицинская биохимия. квалификация выпускника – специалист
by: Беджанян М. А.
Published: (Ставрополь, СКФУ, 2015)
by: Беджанян М. А.
Published: (Ставрополь, СКФУ, 2015)
"Двурезонансный" гистерезис туннельного тока в гетероструктурах w-GaN/AlGaN
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2007)
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2007)
Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN
by: Васенев А. С.
Published: (2012)
by: Васенев А. С.
Published: (2012)
Similar Items
-
Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3
by: Сычева А. В.
Published: (2014) -
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, [Б. и.], 2018) -
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, 2017) -
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, [Б. и.], 2017) -
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, 2018)