Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке
| Parent link: | Известия вузов. Физика.— , 1957- Т. 58, № 8-3.— 2015.— [С. 276-278] |
|---|---|
| Korporativna značnica: | Национальный исследовательский Томский политехнический университет Институт физики высоких технологий Кафедра лазерной и световой техники |
| Drugi avtorji: | Кистенева М. Г. Марина Григорьевна, Акрестина А. С. Анна Сергеевна, Худякова Е. С. Евгения Сергеевна, Щербина В. В. Веста Вячеславовна, Бородин М. В. Максим Викторович, Шандаров В. М. Владимир Михайлович, Шандаров С. М. Станислав Михайлович, Лисицын В. М. Виктор Михайлович, Степанов С. А. Сергей Александрович |
| Izvleček: | Заглавие с экрана Для пленочных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировых подложках, экспериментально изучены спектры отражения (для угла падения на границу раздела пленка - воздух 0°) в диапазоне 200-2700 нм, а также спектры волноводных ТЕ -мод, возбуждаемых методом призменной связи на длинах волн 526.5; 532; 632.8 и 1053 нм. Экспериментально получена волноводная генерация второй гармоники на ТМ -модах при накачке с длиной волны 1053 нм. Для исследованных структур проведена аппроксимация спектральной зависимости коэффициента отражения в диапазоне 1000-2700 нм и профиля показателя преломления на длине волны 633 нм. The reflection spectra in the range from 200 to 2700 nm and spectra of waveguide TE-modes in GaN/InGaN film structure grown on sapphire substrate were investigated. TE -modes were activated by a prism coupling method at wavelength of 526.5; 532; 632.8 and 1053 nm. The second-harmonic generation on TM-modes excited at wavelength of 1053 nm was experimentally obtained. Approximation of the spectral dependence of a reflection coefficient in the range of 200-2700 nm and a refractive index profile at wavelength of 633 nm was carried out for the investigated GaN/InGaN film structure. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Izdano: |
2015
|
| Teme: | |
| Online dostop: | http://elibrary.ru/item.asp?id=25868244 |
| Format: | Elektronski Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648613 |
Podobne knjige/članki
Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3
od: Сычева А. В.
Izdano: (2014)
od: Сычева А. В.
Izdano: (2014)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
od: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Izdano: (Томск, [Б. и.], 2018)
od: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Izdano: (Томск, [Б. и.], 2018)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
od: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Izdano: (Томск, 2017)
od: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Izdano: (Томск, 2017)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
od: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Izdano: (Томск, [Б. и.], 2017)
od: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Izdano: (Томск, [Б. и.], 2017)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
od: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Izdano: (Томск, 2018)
od: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Izdano: (Томск, 2018)
Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN
Izdano: (2015)
Izdano: (2015)
Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка
od: Олешко В. И. Владимир Иванович
Izdano: (2015)
od: Олешко В. И. Владимир Иванович
Izdano: (2015)
Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3
od: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Izdano: (2014)
od: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Izdano: (2014)
Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.11
od: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Izdano: (Новосибирск, 2025)
od: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Izdano: (Новосибирск, 2025)
Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN
Izdano: (2016)
Izdano: (2016)
Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям
od: Ли Цзысюань
Izdano: (2017)
od: Ли Цзысюань
Izdano: (2017)
Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
od: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Izdano: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)
od: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Izdano: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)
Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN
od: Олешко В. И. Владимир Иванович
Izdano: (2013)
od: Олешко В. И. Владимир Иванович
Izdano: (2013)
Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures
od: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Izdano: (2012)
od: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Izdano: (2012)
The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures
od: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Izdano: (2015)
od: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Izdano: (2015)
Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям
Izdano: (2013)
Izdano: (2013)
Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами
od: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Izdano: (2011)
od: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Izdano: (2011)
Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
od: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Izdano: (2012)
od: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Izdano: (2012)
X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire
Izdano: (2017)
Izdano: (2017)
Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка
od: Олешко В. И. Владимир Иванович
Izdano: (2015)
od: Олешко В. И. Владимир Иванович
Izdano: (2015)
Новый государственный первичный эталон
Izdano: (2004)
Izdano: (2004)
Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.12.11
od: Чижевич Л. А.
Izdano: (Томск, [Б. и.], 1974)
od: Чижевич Л. А.
Izdano: (Томск, [Б. и.], 1974)
Измерение показателя преломления жидкостей и твердых тел на рефрактометре ИРФ-454 Б2М: Практикум
od: Сомов Н. В.
Izdano: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2022)
od: Сомов Н. В.
Izdano: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2022)
Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком
od: Олешко В. И. Владимир Иванович
Izdano: (2013)
od: Олешко В. И. Владимир Иванович
Izdano: (2013)
Жидкостный лазерный интерференционный рефрактометр для измерения концентрации растворов
od: Лейбенгардт Г. И.
Izdano: (2004)
od: Лейбенгардт Г. И.
Izdano: (2004)
Государственный первичный эталон единицы показателя преломления
od: Вишняков Г. Н.
Izdano: (2004)
od: Вишняков Г. Н.
Izdano: (2004)
Волноводные синхротроны
Izdano: (М, Атомиздат, 1966)
Izdano: (М, Атомиздат, 1966)
Волноводные устройства сантиметровых и миллиметровых волн
od: Шаров Г. А. Герман Александрович
Izdano: (Москва, Горячая линия-Телеком, 2016)
od: Шаров Г. А. Герман Александрович
Izdano: (Москва, Горячая линия-Телеком, 2016)
Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures
Izdano: (2022)
Izdano: (2022)
Самоиндуцированная сверхпрозрачность в инжекционных лазерах малых размеров
od: Страхов В. П.
Izdano: (2004)
od: Страхов В. П.
Izdano: (2004)
Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок монография
od: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Izdano: (Новосибирск, Наука, 1978)
od: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Izdano: (Новосибирск, Наука, 1978)
Предельные эффективности нелинейно-оптических процессов в микроструктурированных волокнах
od: Желтиков А. М.
Izdano: (2003)
od: Желтиков А. М.
Izdano: (2003)
Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках
od: Олешко В. И. Владимир Иванович
Izdano: (2024)
od: Олешко В. И. Владимир Иванович
Izdano: (2024)
Оптика. Атомная физика лабораторный практикум. специальность 060601.65 (30.05.01) – медицинская биохимия. квалификация выпускника – специалист
od: Беджанян М. А.
Izdano: (Ставрополь, СКФУ, 2015)
od: Беджанян М. А.
Izdano: (Ставрополь, СКФУ, 2015)
Радиометеорология пер. с англ.
od: Бин Б. Р.
Izdano: (Ленинград, Гидрометеоиздат, 1971)
od: Бин Б. Р.
Izdano: (Ленинград, Гидрометеоиздат, 1971)
Numerical model of water medium with methane inclusions: Application for determining optical radiation extinction
od: Shefer O. V. Olga Vladimirovna
Izdano: (2016)
od: Shefer O. V. Olga Vladimirovna
Izdano: (2016)
Медицинская физика. Лабораторный практикум. Часть 1
od: Юдинцев А. В.
Izdano: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2022)
od: Юдинцев А. В.
Izdano: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2022)
"Двурезонансный" гистерезис туннельного тока в гетероструктурах w-GaN/AlGaN
od: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Izdano: (2007)
od: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Izdano: (2007)
Волноводные линии передач
od: Ефимов И. Е. Иван Ефимович
Izdano: (Москва, Связь, 1979)
od: Ефимов И. Е. Иван Ефимович
Izdano: (Москва, Связь, 1979)
Sur l'indice de réfraction atomique du fluor [оттиск статьи]
od: Swarts Fred. Frédéric
Izdano: (Bruxelles, Hayez, Imprimeur de L'Académie Royale des Sciences, Des lettres et des beaux-arts de Belgique, 1897)
od: Swarts Fred. Frédéric
Izdano: (Bruxelles, Hayez, Imprimeur de L'Académie Royale des Sciences, Des lettres et des beaux-arts de Belgique, 1897)
Podobne knjige/članki
-
Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3
od: Сычева А. В.
Izdano: (2014) -
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
od: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Izdano: (Томск, [Б. и.], 2018) -
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
od: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Izdano: (Томск, 2017) -
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
od: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Izdano: (Томск, [Б. и.], 2017) -
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
od: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Izdano: (Томск, 2018)