Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке
| Parent link: | Известия вузов. Физика.— , 1957- Т. 58, № 8-3.— 2015.— [С. 276-278] |
|---|---|
| Corporate Author: | |
| Other Authors: | , , , , , , , , |
| Summary: | Заглавие с экрана Для пленочных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировых подложках, экспериментально изучены спектры отражения (для угла падения на границу раздела пленка - воздух 0°) в диапазоне 200-2700 нм, а также спектры волноводных ТЕ -мод, возбуждаемых методом призменной связи на длинах волн 526.5; 532; 632.8 и 1053 нм. Экспериментально получена волноводная генерация второй гармоники на ТМ -модах при накачке с длиной волны 1053 нм. Для исследованных структур проведена аппроксимация спектральной зависимости коэффициента отражения в диапазоне 1000-2700 нм и профиля показателя преломления на длине волны 633 нм. The reflection spectra in the range from 200 to 2700 nm and spectra of waveguide TE-modes in GaN/InGaN film structure grown on sapphire substrate were investigated. TE -modes were activated by a prism coupling method at wavelength of 526.5; 532; 632.8 and 1053 nm. The second-harmonic generation on TM-modes excited at wavelength of 1053 nm was experimentally obtained. Approximation of the spectral dependence of a reflection coefficient in the range of 200-2700 nm and a refractive index profile at wavelength of 633 nm was carried out for the investigated GaN/InGaN film structure. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Published: |
2015
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://elibrary.ru/item.asp?id=25868244 |
| Format: | Electronic Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648613 |