Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке
| Parent link: | Известия вузов. Физика.— , 1957- Т. 58, № 8-3.— 2015.— [С. 276-278] |
|---|---|
| Corporate Author: | |
| Other Authors: | , , , , , , , , |
| Summary: | Заглавие с экрана Для пленочных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировых подложках, экспериментально изучены спектры отражения (для угла падения на границу раздела пленка - воздух 0°) в диапазоне 200-2700 нм, а также спектры волноводных ТЕ -мод, возбуждаемых методом призменной связи на длинах волн 526.5; 532; 632.8 и 1053 нм. Экспериментально получена волноводная генерация второй гармоники на ТМ -модах при накачке с длиной волны 1053 нм. Для исследованных структур проведена аппроксимация спектральной зависимости коэффициента отражения в диапазоне 1000-2700 нм и профиля показателя преломления на длине волны 633 нм. The reflection spectra in the range from 200 to 2700 nm and spectra of waveguide TE-modes in GaN/InGaN film structure grown on sapphire substrate were investigated. TE -modes were activated by a prism coupling method at wavelength of 526.5; 532; 632.8 and 1053 nm. The second-harmonic generation on TM-modes excited at wavelength of 1053 nm was experimentally obtained. Approximation of the spectral dependence of a reflection coefficient in the range of 200-2700 nm and a refractive index profile at wavelength of 633 nm was carried out for the investigated GaN/InGaN film structure. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Published: |
2015
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://elibrary.ru/item.asp?id=25868244 |
| Format: | Electronic Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648613 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 648613 | ||
| 005 | 20250224091632.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\network\13772 | ||
| 035 | |a RU\TPU\network\13729 | ||
| 090 | |a 648613 | ||
| 100 | |a 20160526d2015 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке |d The optical and waveguide characteristics of the epitaxial structures GaN/InGaN grown on sapphire substrate |f М. Г. Кистенева, А. С. Акрестина, Е. С. Худякова [и др.] | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: стр. 278, (7 назв.)] | ||
| 330 | |a Для пленочных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировых подложках, экспериментально изучены спектры отражения (для угла падения на границу раздела пленка - воздух 0°) в диапазоне 200-2700 нм, а также спектры волноводных ТЕ -мод, возбуждаемых методом призменной связи на длинах волн 526.5; 532; 632.8 и 1053 нм. Экспериментально получена волноводная генерация второй гармоники на ТМ -модах при накачке с длиной волны 1053 нм. Для исследованных структур проведена аппроксимация спектральной зависимости коэффициента отражения в диапазоне 1000-2700 нм и профиля показателя преломления на длине волны 633 нм. | ||
| 330 | |a The reflection spectra in the range from 200 to 2700 nm and spectra of waveguide TE-modes in GaN/InGaN film structure grown on sapphire substrate were investigated. TE -modes were activated by a prism coupling method at wavelength of 526.5; 532; 632.8 and 1053 nm. The second-harmonic generation on TM-modes excited at wavelength of 1053 nm was experimentally obtained. Approximation of the spectral dependence of a reflection coefficient in the range of 200-2700 nm and a refractive index profile at wavelength of 633 nm was carried out for the investigated GaN/InGaN film structure. | ||
| 333 | |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса | ||
| 461 | |t Известия вузов. Физика |d 1957- | ||
| 463 | |t Т. 58, № 8-3 |v [С. 276-278] |d 2015 | ||
| 510 | 1 | |a The optical and waveguide characteristics of the epitaxial structures GaN/InGaN grown on sapphire substrate |z eng | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a показатель преломления | |
| 610 | 1 | |a генерация второй гармоники | |
| 610 | 1 | |a оптические свойства | |
| 610 | 1 | |a волноводные свойства | |
| 610 | 1 | |a эпитаксиальные структуры | |
| 610 | 1 | |a сапфировые подложки | |
| 701 | 1 | |a Кистенева |b М. Г. |g Марина Григорьевна | |
| 701 | 1 | |a Акрестина |b А. С. |g Анна Сергеевна | |
| 701 | 1 | |a Худякова |b Е. С. |g Евгения Сергеевна | |
| 701 | 1 | |a Щербина |b В. В. |g Веста Вячеславовна | |
| 701 | 1 | |a Бородин |b М. В. |g Максим Викторович | |
| 701 | 1 | |a Шандаров |b В. М. |g Владимир Михайлович | |
| 701 | 1 | |a Шандаров |b С. М. |g Станислав Михайлович | |
| 701 | 1 | |a Лисицын |b В. М. |c физик |c профессор Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук |f 1939- |g Виктор Михайлович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\10510 |9 2237 | |
| 701 | 1 | |a Степанов |b С. А. |c специалист в области светотехники |c инженер Томского политехнического университета |f 1986- |g Сергей Александрович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\30150 |9 14555 | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет |b Институт физики высоких технологий |b Кафедра лазерной и световой техники |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18690 |9 27143 |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20210524 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u http://elibrary.ru/item.asp?id=25868244 | |
| 942 | |c CF | ||