Национальный исследовательский Томский политехнический университет Институт физики высоких технологий Кафедра лазерной и световой техники, Кистенева М. Г. Марина Григорьевна, Акрестина А. С. Анна Сергеевна, Худякова Е. С. Евгения Сергеевна, Щербина В. В. Веста Вячеславовна, Бородин М. В. Максим Викторович, . . . Степанов С. А. Сергей Александрович. (2015). Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке. 2015.
Chicago Style (17th ed.) CitationНациональный исследовательский Томский политехнический университет Институт физики высоких технологий Кафедра лазерной и световой техники, et al. Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке. 2015, 2015.
ציטוט MLAНациональный исследовательский Томский политехнический университет Институт физики высоких технологий Кафедра лазерной и световой техники, et al. Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке. 2015, 2015.