Влияние дефектов на туннельный ток в структурах w-GaN/AlGaN(0001)

Влияние дефектов на туннельный ток в структурах w-GaN/AlGaN(0001)

Chi tiết về thư mục
Parent link:	Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы.— 2008.— [С. 196-197]
Tác giả chính:	Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Tác giả khác:	Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Tóm tắt:	Заглавие с экрана
Ngôn ngữ:	Tiếng Nga
Được phát hành:	2008
Những chủ đề:	электронный ресурс труды учёных ТПУ
Truy cập trực tuyến:	http://nitrides-conf.ioffe.ru/abstracts/III-N_2008.pdf#page=196
Định dạng:	Điện tử Chương của sách
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648199

Những quyển sách tương tự

Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001)
Bằng: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Được phát hành: (2008)

Особенности туннельного тока в двухбарьерных нитридных структурах w-GaN/AlGaN(0001)
Bằng: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Được phát hành: (2005)

“Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001)
Bằng: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Được phát hành: (2009)

Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures
Bằng: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Được phát hành: (2008)

"Двурезонансный" гистерезис туннельного тока в гетероструктурах w-GaN/AlGaN
Bằng: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Được phát hành: (2007)

A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures
Bằng: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Được phát hành: (2009)

Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001)
Bằng: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Được phát hành: (2006)

Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN
Bằng: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Được phát hành: (2015)

Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001)
Bằng: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Được phát hành: (2003)

Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures
Bằng: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Được phát hành: (2006)

Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures
Được phát hành: (2022)

Tunneling current in w-GaN/AlN(0001) structures with deep-level defects
Bằng: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Được phát hành: (2018)

Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures
Bằng: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Được phát hành: (2012)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.11
Bằng: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Được phát hành: (Новосибирск, 2025)

Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys
Được phát hành: (2012)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
Bằng: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Được phát hành: (2012)

Peculiarities of tunneling current in w-AlN/GaN(0001) two-barrier structures induced by deep-level defects
Bằng: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Được phát hành: (2016)

The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1-x N(0001) structures
Bằng: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Được phát hành: (2003)

Defect-rich GaN interlayer facilitating the annihilation of threading dislocations in polar GaN crystals grown on (0001)-oriented sapphire substrates
Được phát hành: (2019)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN
Được phát hành: (2016)

Resonant electron tunneling in GaN/Ga1-x AlxN(0001) strained structures with spontaneous polarization and piezoeffec
Bằng: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Được phát hành: (2001)

Резонансное туннелирование электронов в напряженных структурах GaN/Ga1-xAlxN(0001) с учетом спонтанной поляризации и пьезоэффекта
Bằng: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Được phát hành: (2001)

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN
Bằng: Олешко В. И. Владимир Иванович
Được phát hành: (2013)

Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN)
Được phát hành: (2011)

Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN
Được phát hành: (2015)

Тест-система диагностики температурных характеристик светоизлучающих наногетероструктур на основе твердых растворов AlGaN И GaInN
Bằng: Менькович Е. А.
Được phát hành: (2012)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN
Bằng: Васенев А. С.
Được phát hành: (2012)

High-voltage MIS-gated GaN transistors
Được phát hành: (2017)

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям
Được phát hành: (2013)

The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures
Bằng: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Được phát hành: (2015)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка
Bằng: Олешко В. И. Владимир Иванович
Được phát hành: (2015)

Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами
Bằng: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Được phát hành: (2011)

Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка
Bằng: Олешко В. И. Владимир Иванович
Được phát hành: (2015)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям
Bằng: Ли Цзысюань
Được phát hành: (2017)

X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire
Được phát hành: (2017)

Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs
Bằng: Пешев В. В.
Được phát hành: (2004)

Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices
Bằng: Narita, Tetsuo
Được phát hành: (2020)

Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком
Bằng: Олешко В. И. Владимир Иванович
Được phát hành: (2013)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке
Được phát hành: (2015)

К вопросу автоматизированных испытаний силовых коммутационных GaN транзисторов
Bằng: Томашевич А. А.
Được phát hành: (2017)