Влияние дефектов на туннельный ток в структурах w-GaN/AlGaN(0001)

Влияние дефектов на туннельный ток в структурах w-GaN/AlGaN(0001)

Bibliographic Details
Parent link:	Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы: тезисы докладов 6-ой Всероссийской конференции, 18-20 июня 2008 г., Санкт-Петербург/ Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ). [С. 196-197].— , 2008
Main Author:	Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Other Authors:	Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Summary:	Заглавие с экрана
Published:	2008
Subjects:	электронный ресурс труды учёных ТПУ
Online Access:	http://nitrides-conf.ioffe.ru/abstracts/III-N_2008.pdf#page=196
Format:	Electronic Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648199

Similar Items

Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001)
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2008)

Особенности туннельного тока в двухбарьерных нитридных структурах w-GaN/AlGaN(0001)
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2005)

“Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001)
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2009)

Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures
by: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Published: (2008)

"Двурезонансный" гистерезис туннельного тока в гетероструктурах w-GaN/AlGaN
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2007)

Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001)
by: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Published: (2006)

A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures
by: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Published: (2009)

Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2015)

Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001)
by: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Published: (2003)

Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures
by: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Published: (2006)

Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures
Published: (2022)

Tunneling current in w-GaN/AlN(0001) structures with deep-level defects
by: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Published: (2018)

Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures
by: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Published: (2012)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.11
by: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Published: (Новосибирск, 2025)

Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys
Published: (2012)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
by: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Published: (2012)

Peculiarities of tunneling current in w-AlN/GaN(0001) two-barrier structures induced by deep-level defects
by: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Published: (2016)

The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1-x N(0001) structures
by: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Published: (2003)

Defect-rich GaN interlayer facilitating the annihilation of threading dislocations in polar GaN crystals grown on (0001)-oriented sapphire substrates
Published: (2019)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN
Published: (2016)

Resonant electron tunneling in GaN/Ga1-x AlxN(0001) strained structures with spontaneous polarization and piezoeffec
by: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Published: (2001)

Резонансное туннелирование электронов в напряженных структурах GaN/Ga1-xAlxN(0001) с учетом спонтанной поляризации и пьезоэффекта
by: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Published: (2001)

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2013)

Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN)
Published: (2011)

Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN
Published: (2015)

Тест-система диагностики температурных характеристик светоизлучающих наногетероструктур на основе твердых растворов AlGaN И GaInN
by: Менькович Е. А.
Published: (2012)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN
by: Васенев А. С.
Published: (2012)

High-voltage MIS-gated GaN transistors
Published: (2017)

The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures
by: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Published: (2015)

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям
Published: (2013)

Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2011)

Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2015)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2015)

X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire
Published: (2017)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям
by: Ли Цзысюань
Published: (2017)

Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs
by: Пешев В. В.
Published: (2004)

Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices
by: Narita, Tetsuo
Published: (2020)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке
Published: (2015)

Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2013)

К вопросу автоматизированных испытаний силовых коммутационных GaN транзисторов
by: Томашевич А. А.
Published: (2017)