Влияние дефектов на туннельный ток в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы

Bibliografske podrobnosti
Parent link:Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы.— 2008.— [С. 196-197]
Glavni avtor: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Drugi avtorji: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Izvleček:Заглавие с экрана
Jezik:ruščina
Izdano: 2008
Teme:
Online dostop:http://nitrides-conf.ioffe.ru/abstracts/III-N_2008.pdf#page=196
Format: Elektronski Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648199

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 648199
005 20250908093525.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\13356 
090 |a 648199 
100 |a 20160512d2008 k||y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
135 |a drnn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Влияние дефектов на туннельный ток в структурах w-GaN/AlGaN(0001)  |d Defects influence on the tunnel current in (0001) w-GAN/AlGaN structures  |f А. Н. Разжувалов, С. Н. Гриняев 
203 |a Текст  |c электронный 
300 |a Заглавие с экрана 
320 |a [Библиогр.: с. 197 (6 назв.)] 
463 |t Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы  |o тезисы докладов 6-ой Всероссийской конференции, 18-20 июня 2008 г., Санкт-Петербург  |f Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ)  |v [С. 196-197]  |d 2008 
510 1 |a Defects influence on the tunnel current in (0001) w-GAN/AlGaN structures  |z eng 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
700 1 |a Разжувалов  |b А. Н.  |c физик  |c доцент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук   |f 1976-  |g Александр Николаевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\33656  |9 17300 
701 1 |a Гриняев  |b С. Н.  |c физик  |c доцент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук  |f 1951-  |g Сергей Николаевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\28952 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20160512  |g RCR 
856 4 |u http://nitrides-conf.ioffe.ru/abstracts/III-N_2008.pdf#page=196 
942 |c CF